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카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :9 PNP BJT의 Vce - Ic.hwp 문서분량 : 4 page 등록인 : wjdtjq200 문서뷰어 : 
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- 보고서설명
- page 39. 예제1)
예제1) 다음은 NPN BJT(Q2N3904)입니다.
(1) 위의 회로를 그리고 Vb의 전압을 0V~3.3V까지 변화시키면서 Collector에 흐르는 전류를 출력하시오.
(2) 위의 결과를 통해서 BJT의 전류-전압 특성에 대해서 설명하시오.
(3) PNP(Q2N3906) BJT에 대해서도 위와 같은 특성곡선을 출력하고 전류-전압 특성에 대해서 설명하시오.
문제1) BJT의 Vce Ic 특성(family curve)
(1) 다음의 회로를 구서하고 DC Sweep을 이용하여 Vcc는 0V~3.3V까지 0.1V씩 증가시키고, Vb는 0V~3V까지 0.6V 씩 증가시키면서 Collector에 흐르는 전류를 출력하시오.
(2) PNP(Q2N3906) BJT에 대해서도 위와 같은 특성곡선을 출력하시오.
- 본문일부/목차
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좌측의 그래프는 PNP BJT의 collector current이고 우측의 그래프는 NPN BJT collector current이다. 우측 그래프에서 대략 0.7(Turn on voltage)V 이상의 전압이 Base단에 걸리게 되면 Vbc<0 즉, Reverse bias가 걸리게 되고, 그 걸리는 전압이 점점 커지게 되면서 depletion region이 넓어지게 되어, 넘어가는 전자의 양이 많아지고 흐르는 전류의 크기가 커지게 된다. (흘러 들어가는 전류의 크기가 커진다 따라서 +의 전류로 그래프가 나타나게 된다.) 마찬가지로 왼쪽 그래프를 보자, 왼쪽 그래프를 보면 Vbc에 걸리는 전압이 점점 커지게 되면, PNP에서 NP즉 Collector junction에 걸리는 전압이 커지게 된다. (Reverse bias)
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