해피레포트 - 전자회로 설계 및 실험 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :전자회로 설계 및 실험 - 직렬 및.hwp 문서분량 : 8 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 15.03.17 / 15.03.17 구매평가 : 다운로드수 : 1 판매가격 : 2,000 원

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보고서설명
실험 목적 : 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고 측정한다. 실험 소요장비 계측기 - DMM 부품 - 저항 - 다이오드 1) 1kΩ , 2.2kΩ 1)Si , 2)Ge -전원 (직류전원) 실험 순서

본문일부/목차
b) 순서 1에서 측정한 Si 다이오드의 문턱 전압과 R의 측정값을 이용하여 VO와 ID의 이론적인 값을 계산하라. VD에 대해서는 VT 값을 기입하라. VD = VT = 0.573V VO(계산값)　＝ 5V - 0.573V = 4.427V ID(계산값) = ID = VO / R = 4.427 / 2.168K = 0.002 A c) DMM으로 전압 VD와 VO를 측정하고, 측정값 으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 2(b)의 결과와 비교하라. VD (측정값) = 0.623mV VO (측정값) = 4.444V ID (측정값으로부터) = VO/R = 0.002A d. 다음과 같은 회로를 구성하라. 저항값들을 측정하고 기록하라. e. 순서1에서 측정한 VD와 VO 그리고 측정값 R1, R2를 이용하여 VO와 ID의 이론적인 값을 계산하라. VD에 대해서는 VT 값을 기입하라. VD = 0.573V VO (계산값) = 1.383V ID (계산값) = 0.0013A f. DMM으로 전압 VD와 VO를 측정하고, 측정값으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 2(e)의 결과와 비교하라. VD (측정값) = 0.603 mV VO (측정값) = 1.407V ID (측정값으로부터) = VO/R2 = 0.0014A

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