해피레포트 - 반도체공정 실험

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :반도체공정 실험 - Photo Lit.docx 문서분량 : 3 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : MS-워드뷰어프로그램 등록/수정일 : 15.03.16 / 15.03.16 구매평가 : 다운로드수 : 3 판매가격 : 2,000 원

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보고서설명
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은 90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라 PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.

본문일부/목차
나. 실험 준비물 PR coater, Hot plate, PR developer, Stripping chemical, FE-SEM, 광학현미경, Si wafer 시료 다. 실험 과정 1) Cleaning 과정을 마친 시료( /Si(001))를 200℃에서 10여 분간 dehydration 시킨다. 2) 시료를 HMDS라는 접착력을 증진시키는 물질을 사용하여 증기에 10여 분간 노출시킨다. 3) 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다. (이때 감광제의 두께는 회전속도의 제곱근에 반비례한다.) 4) 감광제의 용제를 제거하고 약 100℃의 핫플레이트에서 공기나 질소 가스 분위기에서 5~10분간 soft baking을 한다. 5) 수 분간 시료를 대기 중에 놔둬 relaxation 시킨다. 6) 포토마스크(한쪽 면이 감광 유제나 금속막으로 패턴이 되어 있는 사각형의 유리판)와 시료를 25~125m 정도 공간을 둔 후 2초 간 노광한다. 7) 노광이 끝난 후 시료를 TMAH 용액에 1분 30초 간 담가서 현상한다. 8) Photo lithography 공정이 끝난 시료는 광학현미경을 통하여 PR 두께 변화를 측정한다. 9) 노광시간을 5초, 10초로 하여 위의 실험을 반복한다. ※ 기본적인 포토리소그래피 공정과 달리 짧은 시간동안 세 가지 변수에 대한 실험을 모두 수행해야하는 우리 실험에서는 노출 후 굽기와 강하게 굽기 과정을 생략하고 약하게 굽기 만 실시한다. 3. 결과 및 고찰

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반도체공정 실험 - Photo Lithography