해피레포트 - 반도체공정 실험

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :반도체공정 실험 - Dry etchi.docx 문서분량 : 6 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : MS-워드뷰어프로그램 등록/수정일 : 15.03.16 / 15.03.16 구매평가 : 다운로드수 : 1 판매가격 : 2,000 원

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보고서설명
실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Photolithography’ 공정을 실시한 후 Si기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching’을 실시하며 FE-SEM을 이용하여 SiO2 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을 3min, 5min, 7min으로 변화를 주어 에칭 시간을 조정함에 따라 제품의 SiO2 inspection이 어떤 영향을 받는지 확인하고자 한다.

본문일부/목차
나. 실험 준비물 Dry etcher, FE-SEM, ICP, Si wafer 시료 다. 실험 과정 1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다. 2) 시료의 표면을 FESEM으로 찍은 후 표면의 감광제 모형인 마스크 패턴을 확인한다. (식각 전 패턴 사이즈 측정) 3) ICP 장비의 반응 Chamber에 시료를 넣는다. 4) Chamber를 대기압 보다 낮은 진공(10 Torr 이하)으로 만든다. 5) Chamber에 Oxygen gas를 주입한다. 6) Chamber에 Plasma gas로 C F gas(화학적 반응 야기)와 Ar gas(물리적 반응 야기)를 주입한다. 7) 전원장치를 이용하여 300W의 전원을 공급한다. 8) 3가지 시료에 각각 3분, 5분, 7분 씩 에칭하는 과정을 반복한다. 9) FE-SEM을 이용하여 시료들의 SiO2 inspection을 측정하고 식각 전과 비교한다. (식각 후 패턴 사이즈 측정) 3. 결과 및 고찰

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반도체공정 실험 - Dry etching