해피레포트 - 반도체공정 실험

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :반도체공정 실험 - Cleaning.docx 문서분량 : 4 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : MS-워드뷰어프로그램 등록/수정일 : 15.03.16 / 15.03.16 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 2,000 원

미리보기

보고서설명
실험 1 : Cleaning & Oxidation 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다.

본문일부/목차
나. 실험 준비물 BOE, DI water, Tweezer, Teflon beakers, Safety gadgets, Tube furnace, ellipsometer, Si(100) wafer:p-type 시료 다. 실험 과정 1) BOE(Buffered Oxide Etchants) 용액을 이용하여 기존에 존재하는 Oxide층과 Wafer의 표면 유기물, 이온, 금속 물질을 화학적으로 제거한다.( :계면활성제) - Wafer를 BOE 용액(NH4F:H2O:계면활성제)에 30분 동안 담근다. 2) QDR (Quick Drain Rinse) - DI 용액을 이용하여 헹군다. 3) Spin Dryer - 30분 동안 700rpm 속도로 회전시켜 Wafer 표면의 물기를 완전히 제거한다. 4) 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태 확인 - 물방울을 떨어뜨려 표면과의 각도를 측정한 후 BOE cleaning전에 측정한 각도와 비교한다. 이 때 세정되는 표면의 특성이 친수성(hydrophilic)인가 소수성(hydrophobic)인가에 따라서 용제의 선택과 첨가물의 선택이 달라져야 한다.

구매평가

구매평가 기록이 없습니다

보상규정 및 환불정책
· 해피레포트는 다운로드 받은 파일에 문제가 있을 경우(손상된 파일/설명과 다른자료/중복자료 등) 1주일이내 환불요청 시
환불(재충전) 해드립니다. (단, 단순 변심 및 실수로 인한 환불은 되지 않습니다.)
· 파일이 열리지 않거나 브라우저 오류로 인해 다운이 되지 않으면 고객센터로 문의바랍니다.
· 다운로드 받은 파일은 참고자료로 이용하셔야 하며,자료의 활용에 대한 모든 책임은 다운로드 받은 회원님에게 있습니다.

저작권안내

반도체공정 실험 - Cleaning & Oxidation