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스퍼터와 포포인트프로브에 관해서


카테고리 : 레포트 > 사회과학계열
파일이름 :스퍼터와 포포인트프로브에 관해서.hwp
문서분량 : 6 page 등록인 : leewk2547
문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 15.02.16 / 15.02.16
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보고서설명
개념
스퍼터링(Sputtering)는 집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 이온화된 아르곤등의 가스를 가속하여 타겟에 충돌. 원자를 분출시켜 웨이퍼 기판상에 막을 만드는 방법을 뜻한다. 스퍼터링 장비에서는 타겟쪽을 음극(Cathode)로 하고 기판쪽을 양극(Anode)로 한다. 스퍼터링 공정을 진행하는 장비를 스퍼터라 한다.
본문일부/목차
일반적인 스퍼터링 시스템먼저 챔버를 진공에 가깝게 만든 후에 낮은 압력의 아르곤을 챔버 내로 흘려준다. 전극에 전압을 가하면 Ar+가 이온화되고, 플레이트 간에 플라즈마가 발생한다. 소스 물질로 덮여 있는 플레이트는 기판보다 음전위로 유지되므로, 아르곤은 소스 물질이 덮인 플레이트로 가속 후 충돌되고, 소스원자와 분자들은 플레이트에서 방출되어 웨이퍼로 날아가 증착이 된다. 기판 위에 붙은 물질이 성장하게 되어 만들어진 것을 박막이라고 한다. 스퍼터링 방식은 증류법보다 증착 능력, 복잡한 합금을 유지하는 능력이 뛰어나고, 고온에서 내열성 금속의 증착 능력이 뛰어난 특징이 있다. 스퍼터링 공정의 수율은 충돌 이온의 입사각, 타겟 물질의 조성과 결합구조, 충돌 이온의 종류, 충돌 이온의 에너지 등으로 결정지어진다.

1.2 원리
sputtering법은 sputtering 가스를 진공분위기로 이루어진 camber내로 주입하여 성막하고자 하는 target물질과 충돌시켜 플라즈마를 생성시킨 후 이를 기판(substrate)에 coating시키는 방법이다. 일반적으로 사용되는 sputtering 가스는 불활성 가스(inert gas)인 Ar을 사용한다. sputter장치의 시스템은 target쪽을 음극(cathod)으로 하고 기판쪽을 양극(anode)로 한다. 전원을 인가하면 주입된 sputtering 가스(Ar)는 음극 쪽에서 방출된 전자와 충돌하여 여기(exite)되어 Ar+로 되고 이 여기된 가스는 음극인 target쪽으로 끌려서 target과 충돌한다. 이때 여기된 가스 하나하나는 hυ만큼의 에너지를 지고 있으며 충돌시 에너지는 target쪽으로 전이 되며 이때 target을 이루고 있는 원소의 결합력과 전자의 일함수(work function)를 극복할 수 있을 때 플라즈마는 방출된다. 발생한 플라즈마는 전자의 자유행정거리만큼 부상하고 target과 기판과의 거리가 자유행정거리 이하일 때 플라즈마는 성막된다. 따라서 sputtering시 기판과 target과의 거리는 중요한 인자(factor)가 된다. 여기서 인가된 전원이 직류(direct current, DC)일 경우를 직류스퍼터링법(DC sputtering methode)라 하며 일반적으로 전도체의 sputtering에 사용된다.
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스퍼터

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