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  • [전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 결과

  • [전자회로실험] 증가형 MOSFET의.hwp
  • 등록인 leewk2547
  • 등록/수정일 14.04.21 / 14.04.21
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보고서설명
실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 특성
-회로-
-파형-
본문일부/목차
2.실험 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정


이번 실험은 증가형 MOFET의 단자 특성과 바이어싱에 관한 실험이었다.

MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사용되는 전자 소자이다. 실험에서는 VDS를 10V로 고정시키고VGS를 1,2,3,4,5,7,9,11로 가변시켜서 ID를 측정하는 실험과 ID - VDS 특성 측정하는 실험이었다.

Orcad결과가 책에 있는 값들과는 다소 차이가 있었다. 조교선생님께 물어본 결과 책에 있는 결과는 PSPICE의 결과이기 때문에 Orcad결과와는 다소 차이가 있을 수 있다고 들었다.
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