해피레포트 - 기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계)

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정.hwp 문서분량 : 6 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 14.01.19 / 14.01.19 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 2,000 원

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보고서설명
목 적 1)TR의 특성을 이해하고 특성중 전류증폭을 확인하라. 2)펑션 제너레이터를 이용하여 전류증폭작용을 DSO를 통해 확인하자. 2. 이 론 저번주 실험은 트랜지스터의 “스위치작용”였고 이번 실험은 “전류증폭”이다. 그래서 이론은 트랜지스터 이므로 동일하여 같이 사용하고 전류증폭에 관련된 것을 뒤에 더 추가하였다.

본문일부/목차
NPN TR의 Active mode의 동작을 위의 그림에서 설명하고 있다. PNP TR이나 NPN TR이나 Active mode에서 동작하기 위해서는 위와 같이 E-B에 순방향 전압(Forward bias)를 걸어주고, C-B에는 역방향 전압(Reverse bias)를 걸어주면 PNP이다. 일단 NPN TR이다 보니 전류의 주된 원인은 전자가 되겠구요.(사실 정공도 기여를 하지만 전자가 더 많이 기여합니다. 즉, PNP TR에서는 정공이 전류의 주된 역할을 하게 되지요.) 본래 평형상태에서는 이미터와 베이스 사이에 공핍층이 형성되어있기 때문에 전자가 이미터에서 베이스로 쉽게 넘어가 지 못하지만 위와 같이 순방향 전압을 걸어주게 되면 다이오드에서 정리했던 것과 같이 전위장벽이 낮아지고 공핍층이 얇아져서 충분히 전자가 이미터에서 베이스로 넘어올 수 있게 된다. 이렇게 많은 수의 전자가 이미터에서 베이스로 넘어오게 되면 그 전자들은 컬렉터 쪽으로 빠르게 표류를 하게 된다. 우리가 다이오드때 배웠던 도핑 농도에 따른 확산(diffusion)과는 달리 전기장에 의한 전류가 바로 드리프트 전류라고 한다. 즉, 위에서 컬렉터 쪽에는 높은 +전압이 걸려있기 때문에(그림에서 보시면 컬렉터 쪽이 전지의 +극이다.) 전자는 -전하를 띄고 있으므로 강한 +전압에 의한 전기장에 이끌려 휘리릭~하고 컬렉터쪽으로 끌려들어간다.

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