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  • 반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성

  • 반도체실험 - 다이오드[DIODE].hwp
  • 등록인 leewk2547
  • 등록/수정일 13.12.27 / 13.12.27
  • 문서분량 15 페이지
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보고서설명
1. 실험 목표

소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다.

2. 실험 결과

2.1. Si DIODE
본문일부/목차
위 그림은 온도가 0도에서 시작하여 20도씩 증가하여 80도까지 올라가는 Linear Forward I-V 특성인데 온도가 증가함에 따라 더 낮은 Forward Voltage에서 상승곡선이 올라가는 것을 확인할 수 있다.

2.1.2. Logarithm Forward Region I-V 특성

DIODE소자가 상온일 때의 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.

위 그림은 다이오드소자만을 따로 측정했을 때의 측정값이다.

2.1.3. 빛이 미치는 영향

다이오드소자를 온도계에 연결 후 뚜껑이 완전히 닫히지 않은 상태(빛 차단 전)과 호일로 감싼 상태(빛 차단 후)로 비교해 보았다.

빛 차단 전엔 약 0.2V부터 노이즈가 생겨 그래프가 완만하게 떨어지는 곡선을 볼 수 있고 빛 차단 후엔 0.1V이하까지도 리니어한 직선을 볼 수 있다. 위 측정결과 다이오드소자가 빛에 영향을 받아 노이즈가 생김을 알 수 있다.

2.1.4. DIODE 온도 변화에 따른 I-V 특성

DIODE의 온도 변화에 따른 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
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