해피레포트 - LCD 스퍼터링[sputtering]에 관하여

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :LCD 스퍼터링[sputtering].hwp 문서분량 : 4 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 12.08.10 / 12.08.10 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 1,600 원

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보고서설명
스퍼터링(sputtering) 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견되었으며[3], 현재는 여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다. 스퍼터링(sputtering)은 높은에너지(> 30 eV)를 가진 입자들이 target에 충돌하여 target 원자들에게 에너지를 전달해줌으로써 target원자들이 방출되는 현상이다

본문일부/목차
만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive -ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다. 보통 스퍼터링에는 양의 이온이 많이 사용되는데, 그 이유는 양의 이온은 전장(electric field)을 인가해 줌으로써 가속하기가 쉽고 또한 target에 충돌하기 직전 target에서 방출되는 Auger전자에 의하여 중성화되어 중성 원자로 target에 충돌하기 때문이다. ( 1 ) 이온과 고체 표면과의 반응 이온이 고체 표면에 충돌할 경우 다음과 같은 현상이 일어난다. ① 이온 반사 이온이 고체 표면에 충돌하여 중성화(neutr alization)된 후, 반사(reflection)되는 경우다. 이러한 Ion Scattering Spectroscopy에 이용된다. Ion Scattering Spectroscopy는 표면층에 대한 정보 및 이온과 표면간의 상호 작용에 관한 많은 정보를 제공한다. ② 전자 방출 이온의 충돌로 인하여 고체의 표면에서 전자가 방출되는 경우이며, 이런 전자를 2차 전자(secondary electron)이라고 한다. ③ 이온 주입 고체 표면에 도착한 이온이 고체 내부에 묻히는 경우이다. 이러한 현상을 이온 주입(ion implantation)이라 한다. 이온 주입은 실리콘 웨이퍼(Si wafer)를 이용한 집적 회로 형성시 부분적인 도핑(doping)에 널리 이용된다. 또한 강(steel) 등의 표면 처리(surface treatment)에도 이용된다. ④ Radiation damage 이온이 고체의 표면과 충돌해서 표면 근처의 고체 구조에 변화를 유발하는 경우이다. 고체의 구조 변화는 vacancy나 interstitial의 형성 및 이를 통한 비정질화 또는 고체가 합금이나 화합물일 경우 s toichiometry의 변화가 생기는 것을 의미한다. 한편 electrical charge level에도 변화가 발생하기도 한다.

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