해피레포트 - MOS Capacitor의 제작 방법과 특성와 C-V등을 측정

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :MOS Capacitor의 제작 방법.hwp 문서분량 : 18 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 12.05.17 / 12.05.17 구매평가 : 다운로드수 : 1 판매가격 : 2,500 원

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보고서설명
◉ 실험 날짜: 날 씨 : 맑음 온 도 : 27° 습 도 : 43% 1. 실험 목적 - MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다. C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다. 2. 관련 지식 관련 parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit) MOS capacitor

본문일부/목차
MOS Caoacitor는 전계를 이용한 소자중 하나이며, 그래서 일반적으로 MOSFET(Metal-Oxid e-Semiconductor Field-Effect-Transistor)라고 불린다. 단자수에서 같이 3단자 소자인 BJT와는 달리 MOSFET에서는 다수캐리어에 의해 전류가 조절되며, 하나의 캐리어만을 쓰게 되어 단극성(unipolar) 소자라고도 한다. 그리고 MOSFET은 제어전압(Gate voltage)이 기판의 종류가 p-type인 경우에는 순방향 전압으로 n-type인 경우에는 역방향 전압으로 쓰이며, 전도상태와 비전도상태 사이에서 제어되는 스위칭작용을 시키는 데 매우 적합해서 디지털회로에서 유용하게 사용된다. 또한 공정상으로는 BJT보다 단위 면적당 작업 면적이 훨씬 적어서 대규모 집적회로(VLSI)설계시 많은 비중을 차지하고 있다. 그럼 MOSFET의 소자내에서 벌어지는 내부 작용에 대해서 알아보도록 하자. (1) 기본동작 p형 Si기판 위에 n형 채널이 형성된 경우의 기본적인 MOS트랜지스터를 참고그림 1에 나타냈다. n+형 소스와 드레인영역은 비교적 저농도로 도핑된 p형 기판에 확산 또는 주입(공정)으로 이루어지며, 얇은 산화물층은 Si표면으로부터 Al금속 게이트를 분리시킨다. 드레인-기판-소스의 결합은 직렬로 서로 반대방향으로 된 p-n접합을 포함하고 있기 때문에, 그들 사이에 전도성 n형 채널이 없이는 드레인에서 소스로 아무 전류도 흐르지 않는다. (2) 이상적 MOS Capacitor 외견상 단순한 MOS구조에서 생기는 표면효과는 실제로는 매우 복잡하다. 그래서 여기서는 그에 대한 모든 것을 다룰 수는 없는 관계로 일부 중요한 것들만 접근해 보기로 한다. 그에 대한 정의를 참고그림 2에서 나타내주고 있다. 참고그림에서 보는 는 금속의 일함수는 나타내는 항이며 금속의 Fermi준위로부터 금속 밖으로 한 전자를 이동하는데 필요한 에너지를 말한다. 이와 비슷하게 는 반도체의 Fermi준위에서부터 반도체 밖까지 한 전자를 이동하는데 필요한 에너지를 말한다. 이상적인 경우에는 로 가정하여 두 일함수에는 차이가 없으나 실제적으로는 그렇지가 않다.

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