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  • 도핑기술,확산공정,이온주입공정 구성과 장단점

  • 도핑(doping)기술에_대하여.hwp
  • 등록인 heundle
  • 등록/수정일 11.11.14 / 12.02.16
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◈ 도핑(Doping) 기술
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운반자 농도

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확산(Diffusion) 공정
확산(Diffusion)의 종류
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◈ 이온 주입(Ion implantation) 공정
이온 주입(Ion implantation)
장·단점
장치 구성



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본문일부/목차
◈ 도핑(Doping) 기술
도핑(Doping) 이란?
N형 도핑
P형 도핑
운반자 농도

◈ 확산(Diffusion) 공정
확산(Diffusion) 공정
확산(Diffusion)의 종류
확산 공정의 종류

◈ 이온 주입(Ion implantation) 공정
이온 주입(Ion implantation)
장·단점
장치 구성



▣ 운반자 농도

● 반도체에 도핑을 하면, 이 도핑 농도에 따라 다수 운반자의 농도가 고유 운반자 농도(고유 반도체에서의 운반자 농도)보다 증가하게 된다.
● 하지만 도핑된 반도체의 다수 운반자 농도와 소수 운반자 농도를 곱하면, 고유 운반자 농도의 제곱이 되는 것은 변하지 않는다.
● 예를 들어 어떤 온도에서 고유 운반자(전자와 정공) 농도가 10¹³/cm³ 라고 해 보자. 만약에 N형으로 도핑된 농도가 10¹⁶/cm³ 라면, 정공의 농도는 10¹⁰/cm³ 가 된다.
● 그렇다면, 다수 운반자의 농도는 사실상 도핑 농도에 따라 결정되기 때문에 소수 운반자의 농도도 도핑농도에 의해 영향을 받는다는 것을 쉽게 알 수 있다.



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