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[실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명] 실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명


카테고리 : 레포트 > 기타
파일이름 :실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명.hwp
문서분량 : 1 page 등록인 : mario
문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 10.01.28 / 10.01.28
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실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명



광주과학기술원(GIST)은 실리콘 표면에 존재하는 원자계단들이 고온에서 자발적으로 모여 1차원 구조를 형성해가는 동력학적 과정을 실시간으로 관찰하고 이를 설명하는 새로운 물리적 모델을 수립했다고 4일 밝혔다.

이 연구 결과는 최근 물리학분야 국제학술지 `피지컬 리뷰 레터스(PRL)`에 실렸다.

실리콘 표면은 고온 상태에서 0.3㎚(㎚=10억분의 1㎚) 높이의 원자계단이 6㎚ 간격으로 균일하게 분포된 구조로 돼 있다.

여기서 온도를 800℃ 이하 정도로 낮추면 원자계단들이 자발적으로 모이면서 뾰족뾰족한 산과 골 형태의 선이 만들어진다.

팀은 온도를 낮출 때 시간에 따라 원자계단들이 점차 모이면서 주기적인 나노선을 만들어가는 과정을 방사광 X-선 회절기법을 이용해 실시간으로 관측, 초고진공의 고온 상태에서 원자계단들의 움직임을 직접 측정하는 데 성공했다.

본문일부/목차
실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명



광주과학기술원(GIST)은 실리콘 표면에 존재하는 원자계단들이 고온에서 자발적으로 모여 1차원 구조를 형성해가는 동력학적 과정을 실시간으로 관찰하고 이를 설명하는 새로운 물리적 모델을 수립했다고 4일 밝혔다.

이 연구 결과는 최근 물리학분야 국제학술지 `피지컬 리뷰 레터스(PRL)`에 실렸다.

실리콘 표면은 고온 상태에서 0.3㎚(㎚=10억분의 1㎚) 높이의 원자계단이 6㎚ 간격으로 균일하게 분포된 구조로 돼 있다.

여기서 온도를 800℃ 이하 정도로 낮추면 원자계단들이 자발적으로 모이면서 뾰족뾰족한 산과 골 형태의 선이 만들어진다.

팀은 온도를 낮출 때 시간에 따라 원자계단들이 점차 모이면서 주기적인 나노선을 만들어가는 과정을 방사광 X-선 회절기법을 이용해 실시간으로 관측, 초고진공의 고온 상태에서 원자계단들의 움직임을 직접 측정하는 데 성공했다.

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