1. LED의 기본 구조
고휘도 LED는 질화물 반도체와 P계열의 반도체(Al,Ga,In)를 이용하여 액상 증착이나 MOCVD,혹은 진공 중에서 반도체를 성장시키는 진공 증착법으로 제조 되는 반도체 광원이다. 이러한 방법을 이용하여 제작된 LED는 400∼670[nm]의 가시광선 전 범위에 걸친 파장대의 색을 구현할 수 있다.LED의 발광효율은 LED의 휘도와 직접적인 관련이 있는 외부양자효율과 material parameter라 할 수 있는 내부양자효율과 LED 칩이 놓여지는 반사판과 에폭시의 재료특성에 의해 결정된다.LED는 외부양자효율을 향상시키기 위한 반도체 재료 특성에 관련된 내부양자효율의 향상에 대한 연구와 더불어 LED 구성요소의 광학적 특성 향상을 통해 LED의 광 출력 효율의 증가를 가져올 수 있다.일반적으로 LED는 전극을 통해 LED의 반도체 칩에 전류를 흘려주게 되면 활성층에서 캐리어들의 발광성 재결합을 통해 광자가 생성된다.LED 칩은 표면 처리가 된 리드 프레임의 반사판 안에 칩을 넣어 광 출력을 증가시킨다.접촉은 전도성 접착제의 자력에 의한 음극과 양극을 통하여 리드 프레임의 goldwire에 의하여 이루어진다. 플라스틱 에폭시는 리드 프레임의 칩 주위를 둘러싸고 광학 시스템처럼 발광 특성을 결정 짓는다. 플라스틱 재료는 습기와 기계적인 충격에 대하여 높은 저항력을 가진 재료로 에폭시 수지 또는 폴리메타크릴레이트로 이루어져 있다. 이처럼 투과성 플라스틱이나, 무기 유리 또는 가스로 채울 수 있을 뿐만 아니라 진공으로 형성 될 수 있다.그림 1.1은 일반적인 고휘도 LED의 기본 구조이다.
1.1 ThestructureofHigh brightnessLED.
„.LED 부분별 명칭
…. LED의 역사
LED는 기본적으로 p형와 n형이 접합된 반도체 양쪽에 전극 단자를 만들고 단자간에 전압을 가하면 전류가 흘러 p-n접합 부...
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