해피레포트 - [공과기술] LED 색 좌표계 / 1. LED에 사용되는 반도체 1990년대에 들어서는

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :LED 색 좌표계.hwp 문서분량 : 3 page 등록인 : hsc6606 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 09.11.05 / 11.05. 구매평가 : 다운로드수 : 2 판매가격 : 500 원

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1. LED에 사용되는 반도체 1990년대에 들어서는 AlGaInP을 ...

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ƒ. LED에 사용되는 반도체𠎖년대에 들어서는 AlGaInP을 사용한 고휘도 발광 다이오드의 개발로 각국의 고속도로 대형 정보 표시판과 초대형 디스플레이 등에 발광 다이오드가 사용되게 되었음. AlGaInP은 반도체 레이저의 재료로 개발이 진척되고 있던 재료임. 청색에 대해서는 InGaN계의 재료에 의해서 1cd를 넘는 발광 다이오드램프가 1993년에 개발되었음. 청색이 사용된 결과, 발광 다이오드는 풀컬러 디스플레이와 교통신호에 사용되게 되어서, 발광 다이오드는 풀컬러 디스플레이와 교통신호에 사용되게 되어서, 발광 다이도드의 응용은 계속 넓어지게 되었음. 또한 질화물계 반도체를 이용한 가시광 및 자외선 발광 다이오드의 개발에 힘입어, 인공적인 백색 광선을 만들 수 있는 가능성이 보임에 따라 이에 따른 고품위, 고휘도, 가시광 발광 다이오드 및 백색광 발광 다이오드의 구현기술이 발광 다이오드 신기술의 중심으로 자리매김을 하고 있다. 빛의 삼원색인 R(적색),G(녹색),B(청색)를 고효율로 발광시킬 경우, 적색 LED에서는 GaAlAs와 같은 3원계, 혹은 InGaAlP와 같은 4원계 조성의 화합물 반도체 박막성장이 필요하게 된다. 녹색 LED의 경 우에는 처음에는 GaP로 구현되었는데, 이는 간접천이형 재료로서 실용적인 순녹색 발광이 얻어지지 않았으나, 추후 InGaN의 박막성장이 성공하게 됨에 따라 고휘도 청색 및 녹색 LED의 구현이 가능하게 되었다. InGaN의 경우에는 In의 조성비에 따라 적색에서 near UV까지 발광할 수 있는 박막성장이 가능함에 따라 GaN계의 에피 성장에서는 실제 발광하는 InGaN의 양자우물 구조의 고품위 활성층 성장이 최대 관건이다. II-IV족에서는 ZnSe기판을 이용하여 ZnTe, CdS등과의 다원계 박막성장을 통해 청색 및 녹색 LED를 구현하고 있으나 현재 신뢰성이 떨어져 고휘도 LED 실용화에는 다소 문제점을 보이고 있는 실정이다. ▶ General 급 GaAlAsGaAsPGa...

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