【실험 4】.제목 TTL NAND NOR게이트 정의와 동작.목적
▶TTL게이트의 동작에 대해 공부한다.
▶TTL게이트의 부하 규칙을 결정한다.
▶논리 레벨 1과 0을 정의한다.
▶TTL게이트의 잡음 면역성(noise immunity)을 결정한다.
▶정논리와 부논리를 비교한다.
▶TTL스위칭율에 따른 용량성 부하효과에 대해 공부한다.
.실험 기기 및 부품
▶오실로스코프(CRO) dc결합되고 교정된것
CRO를 통해 모든 전압축정이 이루어진다;두 채널을 사용하는 것이 바람직하다.
▶구형파 발생기(SWG) 10에서 50㎑에서+5V 단일 전압 파형 출력임피던스 500Ω
▶직류전원 공급장치 100㎃이상에서 +5V전압 안정화된것.
▶DC전류계 2㎃
▶캐패시터 0.033㎌, 0.01㎌
▶TTL-IC 7400 4쌍의 2입력 NAND게이트 1개
▶TTL-IC 7403 4쌍의 오픈 컬렉터로된 2입력 NAND게이트 1개
▶가변저항기 500Ω,3변,5W
▶저항 1㏀(10%), 5.6㏀(10%)
▶회로구성용 여분의 저항 100Ω에서 10㏀
.기본 이론
[그림1]2입력 7400 NAND게이트
게이트의 내부구성 그리고 그 게이트 내부 소자들의 값을 알 필요는 없다.
디지탈 IC는 흔히 검정 박스로 취급되고,해당 동작규칙에 따라 그 논리기능을 정확하게 수행한다.그렇지만,이 실험의 목적은 74 54 TTL IC계열의 규칙과 동작을 공부하는 것이기 때문에,2입력 NAND게이트의 두가지 형태,IC 7400과 IC 7403에 대한 구성도를 [그림1]에 제시하였다.
트랜지스터 Q1 은 2개의 에미터 입력 A,B를 가진다.이것은 2입력 AND게이트로 동작을 한다.트랜지스터 Q2와 Q3는 인버슨(inversion)동작을 한다.트랜지스터 Q2는 로우 레벨 출력 상태에서 포화가 되도록,트랜지스터 Q3의 구동기로 동작한다.[그림1](a)의 낮은 레벨 출력상태에서 트랜지스터 Q4는 차단되고,높은 레벨의 출력 상태에서 트...
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