예비보고서
과 목 명 기초전자공학실험
학 과 전자전기공학부
학 번 200013242
이 름 황정규
제 출 일 2008년 10월 31일
예비 보고 사항
(1) 식 1과 실험 1 의 식 5의 차이점을 설명하라.
식1에서는 위의 트랜지스터 특성상 역방향 저항을 무시할수 있다. 그래서 부피저항을 무시했지만 실험 1의 식 5는 다이오드는 역방향 저항을 생각하여 부피저항 Rb를 추가하였다.
(2) 역방향 바이어스가 커지면 rb는 어떻게 변화할 것인지 설명하라.
역방향 바이어스가 커지면 26 i(mA)가 무시해도 좋을 만큼되면 Rd Rb가 된다. 즉 전류가 거의 직선적으로 증가하게 되는 것이다.
(3) 식 2로 주어진 T-등가저항을 이용하여 h-파라미터를 계산하고, 이에 의한 등가 회로를 그려라.
a=0.99, rb=300Ω, rc=1MΩ, re=25Ω, v1=h11i1 + h12v2, i2=h21i1 + h22v2
(4) h-파라미터의 hie, hre, hfe, hoe는 각각 어떠한 의미를 갖는지 설명하라.
hie 이미터공통의 입력임피던스 (input impedance)
hre 이미터공통의 역방향전압비율 (reverse voltage radio)
hfe 이미터공통의 순방향전류비율 (forward current ratio)
hoe 이미터공통의 출력어드미턴스 (output admittance)
(5) 그림 1(b)가 그림 2로 될 수 있음을 보여라.
rd=rc(1-a)이고, b=a 1-a 이므로
(6) 실험 2에서 얻은 입력특성곡선 그림표 1과 출력특성곡선 그림표 3을 이용하여 ic=6mA, υce=3V에서의 h-파라미터를 구하라.
그림표 1 출력 50V, 그림표 3 출력 500mV
= 6mA ...
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