해피레포트 - [반도체공학] 반도체 사진공정

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :Lithography.hwp 문서분량 : 30 page 등록인 : 1aroma1 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 08.10.20 / 08.10.20 구매평가 : 다운로드수 : 1 판매가격 : 1,500 원

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보고서설명
반도체 공정 중 사진공정에 대한 이론과 방법에 대해 상세히 요약하여 이해와 자료 정리에 도움이 되는 확실한 자료임.

본문일부/목차
목차 1. Photolithography Overview 2. Critical Dimension, Overall Resolution, Line Width 3. Lithographic sensitivity and Intrinsic Resist Sensitivity 4. Resist Profile 5. 사진공정의 민감도의 실험적 결정 및 선명도 6. 사진공정에서의 해상도(Resolution) 7. Photolithography Resolution Enhancement Technology 8. Beyond Moores` Law 9. Next-Generation Lithography 10. Emerging Lithography Technologies 11. Example 본문내용 Ⅰ. Photolithography Overview 포토공정은 IC산업에서 MASK위의 pattern을 film 위에 구현을 하고 그 film은 후속으로 barrier 역할을 한다. 아래 그림은 전반적인 공정 순서를 말하고 있다. 1) Masks -wafer 위에 pattern을 구현하기 위한 모체가 되는 pattern을 반복적으로 사용할 수 있게 만든 평판으로 정의한다. -마스크는 음양에 따라서 Dark filed와 Light field 로 나눌 수 있다. -마스크는 종류에 따라 하드마스크와 에멀젼마스크로 구분할 수 있다. 2.) Spinning Resist and Soft Baking K= overall calibration constant C= polymer concentration in g/100mL solution(농도) η= intrinsic viscosity(점성) 오메가= rotations per minute (rpm) -점성 및 농도가 클수록 두께는 두꺼워지며 Spin 속도에 따라 두께가 작아진다. -PR-coating 후에 PR 속에 남아 있는 solvent를 기화시켜주며 Pattern의 profile 및 substrate와 adhesion을 증가시켜 주기 위해 진행하는 중요한 공정이다.

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