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  • 하이닉스반도체, 협업 전략 가속도

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  • 등록/수정일 08.04.02 / 08.04.02
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하이닉스반도체, 협업 전략 가속도
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차세대 메모리 시장을 선점하기 위한 하이닉스반도체(대표 김종갑 www.hynix.co.kr)의 협업 전략에 가속도가 붙었다.
하이닉스는 미국 그란디스와 STT램(Spin-Transfer Torque RAM) 기술에 대한 라이선스 및 공동개발 계약을 체결했다고 2일 밝혔다.
하이닉스는 이에 앞서 지난 1월 삼성전자와 테라비트급 차세대 비휘발성 메모리소자(STT-M램·수직자기형 비휘발성 메모리) 원천기술의 개발을 공동개발하기로 했다. 지난해 8월과 10월 미국 오보닉스, 이노베이티브실리콘(ISI)과 각각 P램과 Z램 기술을 위해 손잡기도 했다.
하이닉스는 이 계약으로 STT램 개발 분야에서 선도적 위치를 점하고 있는 그란디스로부터 국내에서는 처음으로 기술을 도입, 차세대 메모리 기술을 조기 확보해 시장을 선점할 계획이다. 앞으로 양사는 연구 인력을 공동 투입해 제품을 개발해 나갈 예정이다.
하이닉스는 P램 및 Z램 등과 함께 다양한 차세대 메모리 기술의 라인업을 구축함에 따라 향후 시장 주도 제품의 변화에도 한층 더 유연한 대응력을 확보할 수 있게 됐다.
김종갑 사장은 “반도체 기술은 빠른 속도로 발전해 혼자서 모두 다 해결할 수 없다는 판단에 지난해 취임 이후 경쟁사를 포함한 모든 반도체 회사와 접촉을 했다”며 “앞으로 엄청난 투자 비용과 40나노 이하 공정의 개발 리스크를 제휴를 통해 최소화해 나갈 계획”이라고 밝혔다.
한편, STT램은 자기적 성질을 이용한 차세대 메모리로 D램과 낸드플래시의 장점을 고루 갖춘 메모리 솔루션이다. 전력 공급 없이 정보를 보관하는 비휘발성 메모리로 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능할 뿐만 아니라 D램 이상의 고용량을 구현할 수 있는 것이 특징이다. 2012년께부터 본격적인 시장이 형성될 것으로 예상된다. 초기에는 모바일 애플리케이션에 사용되는 노어플래시를 대체 가능할 것으로 보이며 중장기적으로는 D램까지도 대체할 수 있을 것으로 전망된다.
주문정기자 mjjoo@
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