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반도체 재료


카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열
파일이름 :.hwp
문서분량 : 6 page 등록인 : CPIA_jykim
문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 07.05.50 / 09.12.29
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같은분야 연관자료
보고서설명
반도체 형광 인광 열전자 자성체 / ()
본문일부/목차
I. 반도체 재료
Ⅱ. 형광 및 인광재료
Ⅲ. 열전자 방출 재료
Ⅳ. 도전재료
Ⅴ. 저항재료
Ⅵ. 각종 퓨즈의 재료, 특성 및 용도
Ⅶ. 자성체 재료
가. 반도체 재료의 조건
1. 단일원소로 된 고체의 경우에는 공유결합을 만드는 상대편 원자의 전자까지 포함하여 1개의 원자둘레에 있는 전자의 수는 8개이고, s궤도와 p궤도는 완전하게 폐각(閉殼)이 이루어야한다.

2. 화합물의 경우에는 그 중 한 종류의 원자에 대하여 위의 관계가 성립하여야한다. 단 공유결합의 팔은 결정 중에서 1차원,2차원 또는 3차원적으로 연결 확대되어 나가 재료 전체에 뻗쳐 있어야 한다.

나. 원소 반도체
1. C, Si, Ge, P, As, Sb, Bi, Te 등이 여기에 속하며, 실용적인 견지에서 이중 C, Bi, As 및 Sb는 반도체로서 보다는 반금속, P, S, I는 절연체로서 취급된다. 이들의 특징은 다음과 같다.

다. 유기 반도체
1. 대부분의 유기 화합물은 절연체이다. 유기 화합물 반도체란 무기 물질에서보다는 그 개념을 분명히 말할 수 있는 단계가 아니지만, 대체로 다음과 같이 정의 할 수 있다. 전기 전도가 전자에 의하여 이루어지며 광도전성이 현저하고 그 도전율이 무기반도체에서의 관용적인 값이 되는 유기화합물이라고 할 수 있다. 일반적으로 유기반도체는 전리하여 전자를 내기 쉬운 물질과 전자를 받아들이기 쉬운 화합물과 화합하여 분자화합물을 만들 때 얻어지는 유기물질의 결정구조에 따라 전자는 비교적 자유스럽게 돌아다닐 수 있어 외인성 반도체와 같은 특성을 갖는다. 원소반도체인 Ge 이나 Si은 화학적으로 정제를 한 후, 물리적으로 정제를 하고, 적합한 방법에 따라 단결정을 성장시키며, 필요에 따라 불순물을 첨가하여 N형 또는 P형으로 만든다.
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