해피레포트 - [전자기론] 트랜지스터의 증폭 작용

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :[전자기론] 트랜지스터의 증폭 작용.hwp 문서분량 : 7 page 등록인 : leodica7 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 07.05.17 / 07.05.17 구매평가 : 다운로드수 : 1 판매가격 : 1,000 원

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[전자기론] 트랜지스터의 증폭 작용 베이스와 콜렉터 사에에 역방향 전압을 걸면 전류는 흐르지 않지만 여기다가 에미터-베이스에 순방향 전압을 걸면 전류가 흐르기 시작한다. 하지만 의외로 베이스에 1mA의 전류가 흐른다. 이것은 에미터-베이스간에서 에미터의 -전자는 원래 베이스로 흘러야 하지만 베이스 폭이 얇아 콜렉터로 옮겨가 역방향 캐리어가 없는 베이스-콜렉터에 캐리어가 주입되어 콜렉터 전류가 증폭되어 흐른다. 그래서 약간의 베이스 전류가 큰전류 콜렉터 전류가 된다. 트랜지스터에서 입력 전극인 베이스에 신호 전류를 흘리면 그것에 응한 전류가 출력 전극인 컬렉터에 흐른다. 이런 의미에서 트랜지스터는 전류 제어형 소자라 한다. 이 것 만으로 별로 대단한 것도 아닌 것 같지만 출력 전류가 흐른다는 것, 즉 입력 저항이 무한대가 아니란 것 때문에 트랜지스터는 진공관에 비하여 회로 설계상 벌그로운 면도 있다. 가) 베이스 접지 전류 증폭률 그림 12에서 에미터를 입력 전극, 컬렉터를 출력 전극, 그리고 베이스를 입출력 공통 전극으로 할 때 입출력의 공통 전극을 보통 교류적으로 접지 하므로 이 회로를 베이스 접지 회로 또는 베이스 공통회로(Common Base:CB)라 한다.

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