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[전자기론] 트랜지스터의 특성 실험방법


카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열
파일이름 :[전자기론] 트랜지스터의 특성 실험방법.hwp
문서분량 : 2 page 등록인 : leodica7
문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 07.05.17 / 07.05.17
구매평가 : 다운로드수 : 0
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보고서설명
[전자기론] 트랜지스터의 특성 실험방법
본문일부/목차
[전자기론] 트랜지스터의 특성 실험방법


목차
1.목적
2.원리
3.기구 및 장치
4.실험 방법

1.목적
p-n-p트랜지스터의 정특성 곡선을 구하고, 그 동작 원리와 증폭작용을 이해한다.

2.원리
트랜지스터(TR)의 구조는 base라 부르는 중앙의 n(또는 p)형 층의 양옆에 emitter와 collector라고 부르는 p(또는 n형)의 층을 접합시켜 놓은 것이다. 중앙의 base가 n형인 경우p-n-p형의 TR이라고 하고, 중앙의 base가 p형인 경우 n-p-n형의 TR이라고 한다. 이 경우는 주carrier가 hole인가 전자인가의 차이일뿐 동작 원리는 같다. 그림 1의 경우는 베이스 접지형의 p-n-p트랜지스터의 구조를 보여준다.
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트랜지스터의 특성 실험방법

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