해피레포트 - [전자기론] 트랜지스터 바이폴러형과 MOS형

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :[전자기론] 트랜지스터 바이폴러형과 MOS형.hwp 문서분량 : 3 page 등록인 : leodica7 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 07.05.17 / 07.05.17 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 500 원

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[전자기론] 트랜지스터 바이폴러형과 MOS형

본문일부/목차
[전자기론] 트랜지스터 바이폴러형과 MOS형 구성 트랜지스의 종류에 따라 집적 회로를 분류하면 바이폴러(bipolar)형과MOS (metal-oxcide- semiconductor ; 금속 산화막 반도체)형으로 나뉜다. 바이폴러형은 원리적으로는 보통의 트랜지스터를 그대로 집적한 것으로 생각하면 좋다. 전자와 정공(반도체의 결정에서 가전자가 결핍되어 생긴 구멍)의 2 종류의 극성(極性)을 가진 전하가 그 작용에 관여하므로, ‘바이(양)폴러(극성)’ 즉 양극 집적형 트랜지스터라고 불린다. 일반적으로 바이폴러형은 고속이기는 해도 전력 소비가 많고 제조 공정이 복잡하기 때문에, 초 LSI 에서는 주류를 이루지 못한다. 한편 MOS형은, 산화막에 의하여 전기적으로 절연된 게이트(gate; 제어목적으로 쓰이는 전극)에 전압을 걸어 전류 통로를 제어하는 전기장 효과 트랜지스터를 집적한 것이다. 제조 공정이 비교적 쉽다는 점에서 P형 실리콘을 기판(基板)으로 사용하는 P-MOS 형이 처음으로 실용화되었다. 그러나 동작 속도가 느리기 때문에 보다 고속인 N-MOS형이 채용되기 시작하였다. 이것은 N형 실리콘을 기판으로 사용한다. 그렇지만 초 LSI에서는 N-MOS형이라고 해도 전력 소비가 많으므로, 이들을 조합한 보다 고속이고 전력 소비가 적은 C-MOS형이 주류를 이루고 있다.

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