해피레포트 - [전자기론] 트랜지스터의 발명

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :[전자기론] 트랜지스터의 발명.hwp 문서분량 : 4 page 등록인 : leodica7 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 07.05.17 / 07.05.17 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 500 원

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[전자기론] 트랜지스터의 발명 - 대학 레포트 제출자료

본문일부/목차
[전자기론] 트랜지스터의 발명 발명자 : 쇼클레이(Shockly), 바딘(Bardeen), 브래튼(Bratian)이 1956년 노벨 물리학상을 수상 가) 반도체 증폭회로 만들기 최초의 트랜지스터는 반도체 표면의 성질을 조사하는 과정에서 우연히 발견되었다. 진공관이 아닌 , 진공 용기를 쓰지 않고 금속과 절연물과 반도체를 조합한 구조로 증폭기를 만드는 소위 고체 증폭기를 만든다는 연구는 훨씬 전 계획되어 진행 되었다. 특히, 트랜지스터발견에 공로가 큰 미국의 연구소는 전화선에서 음성 뿐 아니라 여러 가지 정보 전달 써비스를 가능케 하기 위해 많은 증폭소자를 필요다는 생각에 진공관의 크기와 발열(진공관의 히터)의 문제점과 진공관의 짧은 수명시간 등을 고려해 볼 때 진공관은 더 이상 실효적이라 할수 없었다. 그래서 반도체에 의한 증폭소자 개발에 착수하였다. 이것은 세계 2차 대전에 중단되었다가 전 후 다시 재개되어 정제나 단결정 제작이 용이한 게르마늄을 선두로 실리콘을 목표로 기초 연구가 진행되었다. 최초는 현재의 MOSFET(Metal Oxided Semiconductot Field Effice Transistor)에 가까운 절연 게이트 형 FET와 같은 것이 생각되었지만 이론대로 동작하지 않았다. 이 이론도 실제 상황이 엇갈리는 점을 연구하는중, 반도체 표면에서는 결정 내부와는 다른 상태로 되어 있는 것 같다 라는 결론을 얻었다. 그리고 그 표면 상태를 바딘과 브래튼이 연구하는 실험중 1947년 12월에 점접촉 트랜지스터의 증폭 작용, 이른바 트랜지스터가 발견되어 1948년 공포 되었다.

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