해피레포트 - 반도체 소자 분리기술로 `STI 공정` 각광

카테고리 : 레포트 > 기타 파일이름 :20060224.jpg 문서분량 : 1 page 등록인 : etnews 문서뷰어 : 뷰어없음 등록/수정일 : 06.02.23 / 06.02.23 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 300 원

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반도체 소자 분리기술 중 하나인 트렌치 소자 분리(STI) 공정 관련 기술 개발이 활발한 것으로 나타났다. 23일 특허청에 따르면 지난 2001년부터 2005년 6월까지 4년 6개월간 국내에 출원된 반도체 소자 분리기술 관련 특허는 총 2007건이며, 이 중 STI 공정이 전체의 90%를 차지했다. 반도체 소자 분리기술에는 반도체 기판상에 산화막을 선택적으로 성장시켜 소자 분리막을 형성시키는 로코스 공정과 반도체 기판에 트렌치를 형성한 후 내부를 절연막으로 매립해 소자분리막을 형성하는 STI 공정 두 가지가 있다. STI 공정은 기존 로코스 공정에 비해 소자 분리 특성이 우수하고 점유 면적도 작아 반도체 소자의 고집적화에 적합한 기술로 각광받고 있다. 출원인별로는 하이닉스(987건), 동부아남(357건), 삼성전자(202건), 매그나칩(151건) 4개 기업의 출원이 전체의 84.6%를 기록했다. 특허 등록 기업으로는 하이닉스가 421건으로 가장 많았고 삼성전자(153건), 동부아남(148건), 미쓰비시(43건) 순이었다. 특허청 관계자는 “소자 분리 영역 축소는 반도체 소자의 고집적화·미세화를 결정하는 중요한 기술”이라며 “앞으로도 소자 분리기술에 대한 연구가 활발히 이뤄질 전망”이라고 말했다. 대전=신선미기자@전자신문, smshin@

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