해피레포트 - 하이닉스 中 우시 합장공장 기공식

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하이닉스 中 우시 합장공장 기공식

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하이닉스반도체(대표 우의제)는 28일 중국 장쑤성 우시시에서 우의제 사장, ST마이크로 마리오 리키아델로 부사장 등 양사 관계자들과 중국과 한국 정부 관계자 등 500여명의 국내외 인사가 참석한 가운데 중국 현지 합작공장인 하이닉스ST반도체 유한공사((Hynix-ST Semiconductor Ltd.)의 기공식을 가졌다. 이날 착공된 중국 공장에는 20억달러가 투입돼 총면적 16만평 규모 단지에 200㎜와 300㎜ 팹 각각 1개씩 총 2개 팹이 건설된다. 중국공장의 200㎜ 팹은 내년 상반기에 90나노 공정에서 월 4만장 규모로 본격 가동되고 하반기에는 월 6만장 이상으로 생산량이 확대된다. 초기에는 D램을 생산하고 시장상황에 따라 낸드플래시로 전환하는 방안을 검토하고 있다. 또 300㎜ 팹은 내년 후반부터 월 1만7000장 규모로 가동에 들어갈 예정이다. 이 공장은 하이닉스반도체와 ST마이크로가 공동으로 10억달러, 나머지 10억달러는 중국 정부가 토지 비용으로 2만5000달러, 중국 현지 3개 금융기관이 7만5000달러를 부담한다. 하이닉스-ST반도체 유한공사는 하이닉스반도체가 67%, ST마이크로가 33%의 지분을 소유하고 있다. 하이닉스반도체의 중국 D램시장 점유율은 지난해 하반기 기준으로 약 40%다. 20% 정도인 2위 마이크론이나 3위인 삼성전자에 비해 2배 이상 높은 점유율을 유지하면서 부동의 1위를 지켜왔다. 하이닉스는 중국공장이 가동되는 내년 하반기부터 현재 41%로 수위를 달리고 있는 중국시장 장악력을 더욱 공고히 할 수 있고 한국(이천·청주 5개 팹)·미국(유진 1개 팹) 공장과 함께 글로벌 생산구조가 구축돼 상계관세 등 통상문제의 해결이 가능할 전망이다. 이때 하이닉스의 한국·중국·미국지역 현지생산비중은 각각 60%·25%·15%에 이를 전망이다. 한편 마오 샤오핑 우시시 시장은 이날 “하이닉스가 확정한 200㎜와 300㎜ 팹은 임대한 16만평 부지의 8만5000평을 사용하는 것”이라며 “하이닉스는 장기적으로 나머지 7만5000평에 2개 팹을 더 건설할 가능성이 있다”고 밝혔다. 우시(중국)=심규호기자@전자신문, khsim@ 사진: 장쑤성 장정지 부성장, 하이닉스반도체 우의제 사장, ST마이크로 마리오 리키아델로 부사장(왼쪽부터)이 기공식에서 시삽을 하고 있다.

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