삼성전자·도시바가 선점하고 있는 낸드형 플래시메모리 시장에 공동진출하기로 선언한 ST마이크로일렉트로닉스와 하이닉스반도체가 업무제휴 영역을 노어형 플래시메모리 및 저전력 D램으로 확장한다. 양사는 최근 플래시메모리사업 총괄 임원들과 개발·마케팅 실무진이 참석한 가운데 스위스 제네바 ST 본사에서 일주일여간 릴레이 회의를 갖고 낸드형 제품 공동개발 이외에 노어형·D램 등이 결합되는 복합메모리 멀티칩패키지(MCP) 시장에 공동 대응하기로 했다. 이와 관련, 양사 법무 담당자는 계약확대에 따른 후속조치를 진행중이며 개발 및 영업쪽에서도 관련준비에 들어갔다. 양사는 우선 3분기 512Mb급 낸드형 플래시메모리를 출시하는 한편 128Mb급에서 2Gb급까지 낸드형 제품군의 라인업을 확대하고 기존 저전력 D램과 S램(하이닉스), 노어형 플래시메모리(ST마이크로)를 결합해 MCP를 추가 출시할 계획이다. 주 타깃시장은 대용량에 빠른 저장속도, 저전력 소모를 필요로 하는 3G 휴대폰 및 디지털카메라 등이 될 전망이다. 양사는 또 F램, M램 등 차기 메모리 기술개발에서도 협력하는 방안을 검토중이다. 하이닉스반도체 관계자는 “노어형 제품의 자체 생산은 순차적으로 줄이겠지만 ST가 세계 4위의 노어형 플래시메모리업체고 하이닉스가 세계 3위의 D램업체인 만큼 공정과 설계, 응용기술 개발에 탁월한 시너지 효과를 보일 것”이라고 말했다. ST 관계자는 “하이닉스는 공정기술과 양산능력에서 앞선 만큼 양사의 협력은 향후 메모리 시장 대응력을 높여줄 것으로 기대한다”고 말했다. <정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>
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