해피레포트 - 하이닉스반도체, 내년 20억 달러 이상 투자

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하이닉스반도체, 내년 20억 달러 이상 투자

본문일부/목차
하이닉스반도체(대표 우의제)가 내년도 연구개발(R&D) 및 시설투자 등에 총 20억달러(약 2조3000억원) 이상을 투자해 300㎜ 및 90나노 첨단미세공정 전환을 서두른다. 하이닉스반도체는 25일 증권거래소에서 기업설명회를 갖고 올해 4분기에 최대 3000억원을 300㎜ 시설투자에 투입하고 내년에는 미세공정화 등을 포함해 올해보다 2배 가까이 많은(올해 약 1조8000억원) 20억달러 이상을 투자할 계획이라고 밝혔다. 이 회사 권오철 전무는 “현재까지 당초 스케줄 대로 업그레이드 투자를 지속적으로 추진하고 있어 11월에는 M10 팹에서 300㎜ 웨이퍼 기준 약 3000장이 투입돼 0.11공정에서 D램을 생산하게 될 것”이라며 “낸드형 플래시메모리도 연말에 90나노 공정이 도입돼 내년 1분기 거의 90나노로 전환되며, 70나노 도입도 내년부터 시작될 것”이라고 말했다. 특히 하이닉스는 내년 하반기에 가동할 70나도 공정을 통해 4G 이상의 고용량 낸드형 플래시를 생산한다는 계획으로, 이를 통해 대용량을 원하는 시장 요구에 적극 대응키로 했다. 올해 2조원 전후의 순이익 달성이 예상되는 하이닉스는 이 같은 공격적 투자를 통한 미래 대처능력 확보와 최근 성공적으로 완료한 비메모리 사업부문 매각에 따른 재무구조 개선으로, 내년부터 경영정상화의 길로 진입할 수 있을 것으로 기대된다. 이날 발표된 하이닉스의 지난 3분기 실적은 영업이익이 지난 2분기보다 26% 감소한 5036억원, 매출과 당기순이익은 각각 6%와 17% 줄어든 1조5980억원과 5140억원을 기록했으나, 32%라는 높은 영업이익률을 유지하면서 올해 창사 이래 최대 흑자 달성이 확실시 되고 있다. 하이닉스 정형량 부사장은 “향후 사업다각화와 지속적인 원가절감, 고부가가치 제품 중심으로의 전환 등을 통해 시장에서 선도적 위치를 한층 공고히 할 것”이라며 “특히 시장 환경과 무관하게 안정적인 수익을 창출할 수 있는 메모리 전문기업으로 거듭날 것”이라고 말했다. 심규호기자@전자신문, khsim@

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