인피니언테크놀로지스 해럴드 에거스 메모리부분 사장은 15일 중국 상하이 푸둥에서 열린 ‘차세대 메모리 부분 전략’ 발표에서 “인피니언은 300mm에 대한 공격적 투자와 중국 SMIC, 대만 윈본드 및 난야 등 아시아 업체와 전략적 제휴를 통해 D램 시장 지배력을 높이고 있다”며 “2위인 마이크론이 300mm 투자 지연과 다양한 제품 포트폴리오를 갖추지 못했기 때문에 사업강화를 통해 2005년까지 메모리반도체 시장에서 2위를 기록할 수 있을 것”이라고 말했다. 에거스 사장은 “2005년∼2006년에는 전략적 제휴를 통한 메모리 생산 비중을 현재 15%에서 50%까지 끌어올릴 계획”이라며 “중국 시장에서 40%의 점유율을 확보하기 위해서는 현재 규모의 15배에 이르는 생산능력이 필요하다”며 “이를 위해 SMIC를 통해 D램을 양산할 계획”이라고 말했다. 에거스 사장은 또 “플래시메모리 분야에서도 사이펀(Saifun)과 기술을 제휴, 낸드형과 노어형 메모리를 접합한 ‘NROM’을 바탕으로 낸드형 플래시메모리 시장에 진입한 후, 3년 안에 삼성과 도시바에 이어 3위를 차지하는 게 목표”라고 말했다. 인피니언은 중국 시장 공략의 일환으로 오는 17일 인피니언상하이 본부를 개소한다. <상하이(중국)=손재권기자 gjack@etnews.co.kr>
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