해피레포트 - <원자증착(ALD)2002 콘퍼런스>한국의 기술력 세계에 알린다

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<원자증착(ALD)2002 콘퍼런스>한국의 기술력 세계에 알린다

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미국 진공학회 박막분과와 한양대학교 BK재료산업단이 공동으로 주최하고 테라급나노소자사업단이 후원하는 ‘원자층증착(ALD)2002 콘퍼런스’가 19일 한양대 한양종합기술센터에서 개막된다. 미국 이외의 국가로는 한국에서 최초로 열리는 이번 행사는 21일까지 사흘간 기술세미나와 전시회로 나뉘어 진행되며 기술세미나에는 우리나라를 비롯해 미국·핀란드·일본·대만 등 20여개국 전문가들이 제출한 71편의 연구 논문이 발표될 예정이다. 특히 200여명의 외국 전문가들이 대거 참석하고 ALD 관련 기술이 총망라되는 것은 물론 ALD 기술구현의 핵심소재로 비상한 관심을 모으는 고유전(high-k) 물질에 관한 연구논문이 집중 소개될 예정이어서 산학계의 이목이 집중되고 있다. 편집자 ‘원자층증착(ALD:Atomic Layer Deposition) 2002 콘퍼런스’에 대한 산학계의 관심이 집중되고 있다. 19일부터 21일까지 사흘간의 일정으로 한양대학교 한양종합기술센터에서 열리는 ‘ALD2002 콘퍼런스’는 미국진공학회(AVS) 박막분과와 한양대 BK21 재료사업단이 공동으로 개최하고 테라급나노소재개발사업단에서 후원하는 행사로 올해로 두번째를 맞는다. 이번 행사는 ALD학계의 권위자로 평가되는 미국 하버드대학의 로이 고든 교수를 비롯해 미국 콜로라도대학의 스티브 조지 교수, 핀란드 헬싱키대학의 니이스토 교수, 삼성전자의 강호규 박사, KAIST의 강상원 교수 등이 참석하는 명실상부한 국제 콘퍼런스다. 특히 이번 행사에는 ALD 기술의 종주국인 핀란드를 포함해 일본, 유럽, 대만 등 총 20여개국의 저명한 학자들이 연구해온 ALD장비 및 재료기술 관련 연구논문을 발표한다. 미국진공학회(AVS:American Vacuum Society) 박막분과 콘퍼런스의 한국 개최는 한국의 기술이 세계적 업계와 학계로부터 널리 인정받고 있다는 것을 방증한다. 한국은 ALD 공정에 관련된 소자 및 장비, 재료 기술 관련 기술을 선도하는 위치까지 올라섰다. 삼성전자, 하이닉스반도체 등 우리나라 소자업체와 아이피에스, 지니텍, 주성엔지니어링 등 우리나라 장비업체들은 이미 기존 박막증착 기술이 갖는 기술적 한계를 극복할 수 있는 ALD의 원천기술을 상당수 확보한 상태다. 이로써 0.10미크론(1미크론은 100만분의 1m) 이하 실리콘 반도체 공정에서 요구되는 게이트 절연재료, 고유전 절연재료, 장벽 금속(Barrier Metal), 프리커서(Precursor) 등에 대한 추가 기술 확보도 가능하게 됐다. ALD 기술이 차세대 증착공정으로 각광받는 이유는 기존 CVD 공정기술에 비해 저온에서 공정구현이 가능해 불순물(particle) 형성이 크게 억제되며 정확하고 정밀한 박막의 두께 형성이 가능하기 때문이다. 올해 콘퍼런스에서도 주로 고유전(high-k) 절연재료와 새 프리커서 개발에 대한 발표가 주류를 이루고 있다. 고유전 절연재료는 빠른 처리속도를 필요로 하는 로직 등 비메모리 반도체에서 게이트 산화막의 두께가 1㎚ 이하가 돼야만 한다는 기술적 요구를 충족시킬 수 있는 최선의 대안으로 평가받고 있다. 고유전 절연재료로 가장 각광받는 재료는 하프늄계 산화물(HfO

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