해피레포트 - 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)

카테고리 : 레포트 > 자연과학계열 파일이름 :전자전기설계실험 - MOSFET (M.doc 문서분량 : 6 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : MS-워드뷰어프로그램 등록/수정일 : 14.01.17 / 14.01.17 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 2,000 원

미리보기

같은분야 연관자료
전자전기컴퓨터설계실험 - 실험 장비 사용법 및 RLC회로 분석... 11 pages 2000 원

일반물리실험(2학기,부산대학교)... 50 pages 6000 원

보고서설명
Abstract. Introduction Materials & Methods Result Discussion Conclusion

본문일부/목차
실험도구 Function Generator, Oscilloscope, Power Supply, Multi-meter, 와이어, 빵판, 500Ω 2kΩ 10kΩ 20kΩ 1MΩ 6.7MΩ 저항, 2N7000, 47uF 캐패시터 3개 실험내용 [1-1] 사전보고서의 내용에 따라 Common-Source Amplifier를 설계하시오. [1-2] MOS 트랜지스터가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오. [2-1] 사전 보고서의 내용에 따라 [2-1~4]의 실험을 수행하여 RS의 역할에 대하여 검증하시오. 트랜지스터의 온도를 변화시키기 위한 방법에 대하여 찾아보시오. [3-1] Common-Source 증폭기의 Mid-Band Gain 값이 20dB이상이 되도록 증폭기를 설계하시오. 사전보고서를 통해 설계한 증폭기의 Gain값이 20dB 이상이 되지 못한다면 이를 해결하기 위한 방안을 고려하여 회로를 수정하시오. [3-2] fL 및 fH값을 검증할 수 있는 방법에 대하여 고려하고 이를 통해 성능을 검증하시오. [1-2] - VDS= 10.265V, VGS= 0.890V이므로 Saturation 영역이 맞다. [2-1] - 드라이기로 따뜻하게 해준다. 그러나 80도까지는 무리라고 생각한다. 그런데 그 정도 온도에서는 사람이 잡고 실험하는 것은 불가능하다 생각한다. 40도 내외에서 드라이기를 사용하거나 전기난로를 사용한다. 또는 난로 위에 온도를 잰 다음 그 위에 놓고 실험한다. [2-1] 트랜지스터의 VGS, IDS값을 구하시오. VGS=0.882V, IDS=2.23mA [2-2] RS=0으로 만든 상태에서 (Ground 와 short시킴) RG1을 변화시켜 [2-1]에서 구한 VGS및 IDS와 유사한 값을 갖도록 만드시오. RS=0으로 short 시키고 RG1=0 , V=1.89V RG1 = 6.7*3= 20.1M VGS=1V, IDS=2.985mA

연관검색어
전자전기설계실험

구매평가

구매평가 기록이 없습니다

보상규정 및 환불정책
· 해피레포트는 다운로드 받은 파일에 문제가 있을 경우(손상된 파일/설명과 다른자료/중복자료 등) 1주일이내 환불요청 시
환불(재충전) 해드립니다. (단, 단순 변심 및 실수로 인한 환불은 되지 않습니다.)
· 파일이 열리지 않거나 브라우저 오류로 인해 다운이 되지 않으면 고객센터로 문의바랍니다.
· 다운로드 받은 파일은 참고자료로 이용하셔야 하며,자료의 활용에 대한 모든 책임은 다운로드 받은 회원님에게 있습니다.

저작권안내

카테고리 : 레포트 > 자연과학계열
파일이름 :전자전기설계실험 - MOSFET (M.doc
문서분량 : 6 page	등록인 : leewk2547
문서뷰어 : MS-워드뷰어프로그램	등록/수정일 : 14.01.17 / 14.01.17
구매평가 :	다운로드수 : 0

전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)

판매가격 : 2,000 원