해피레포트 - Photolithography를 이용한 pattern형성

카테고리 : 레포트 > 자연과학계열 파일이름 :Photolithography를 이용.hwp 문서분량 : 4 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 12.05.29 / 12.05.29 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 1,200 원

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보고서설명
1.실험제목 : Photolithography를 이용한 pattern형성 2.실험목적 : Photolithography에 사용하는 각 공정의 원리와 공정시 주의점을 알 수 있다. 3.실험기구, 장비, 재료 : -Cr 증착된 기판 -Developer, Stripper, Cr etchant

본문일부/목차
①Cr이 증착된 기판 Cleaning을 한다.(Isopropyl alcohol에 약 10분 가량 Ultra sonic처리 ->DI water ->gas로 drying) ②Spin coater위에 기판을 올리고 진공 잡은 후 PR을 뿌리고 코팅을 한다.(500rpm : 10초, 3000rpm : 30초, 1000rpm :10초) ③PR을 굳히기 위해 Soft baking(110℃) 15분 정도 건조 ④스스로 그린 Pattern을 기판위에 올려놓고 UV lignt를 노광(2.5초) ⑤PR을 제거하기 위해 Developer에 기판을 담그고, DI water로 세척 ⑥세척후 Hard baking(130℃)에서 약 10분 정도 건조 ⑦Cr etchant에 dipping하여 경과를 보면서 Cr을 제거 ⑧제거 후 Pattern이 된 부분의 PR을 제거하기위해 Stripper에 dipping하여 제거 6.실험 결과 및 고찰 -PR의 종류에 따라 형성되는 모양을 생각해 보자 광원의 단파장화에 따른 광원의 개발과 더불어, 그에 상응하는 레지스트의 개발은 중요하다. 광원의 단파장화는 레지스트의 고감도화를 요구한다. 용해도 변화 Positive형, Negative형 반응 형태 극성변화형, 해중합형, 가교형, 중합형 구성 성분수 1성분, 2성분, 3성분 광원 g-line(436nm), i-line(365nm), KrF(248nm), ArF(193nm), EUV(13nm), E-beam, Ion Beam, X-ray 적층수 단층, 다층 Positive 레지스트는 노광지역의 resist가 현상공정에서 제거되고, 비노광지역의 resist가 최종적인 etching mask 역할을 하며, negative 레지스트는 그 반대이다. 용해억제형 포토레지스트(Dissolution Inhibition Resist)는 감광작용을 하는 PAC(Photo Active Compound) 및 physical image를 형성하는 polymer 2성분계로 구성되며 점도조절을 위한 solvent, 색소(dye)가 추가로 첨가된다. 대부분 g-line, i-line resist의 경우가 이에 해당한다.

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