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  • [A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - 다이오드 특성

  • A+ 45 예비레포트 기초전자공학실험.hwp
  • 등록인 tjr6155
  • 등록/수정일 21.04.21 / 21.04.21
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[A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - 다이오드 특성
[A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - 다이오드 특성
본문일부/목차
1-2 다이오드의 원리
1) PN접합 다이오드
P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋다. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않다. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 공핍영역(depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 서로 끌어당겨서 재결합하면서 없어지기 때문에 생긴다. 이 전도율이 떨어지는 부분을 이용해서 다이오드를 만든다. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이다. 이런 특성은 정방향 바이어스와 역방향 바이어스를 이용해서 설명한다. 여기서 바이어스라는 말은 P-N접합에 전압을 걸어주는 것을 뜻한다.

2) 정방향 바이어스
정방향 바이어스는 다음 그림과 같이 P형 부분에 (+) 전압을, N형 부분에 (-) 전압을 걸어주는 경우이다.
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