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반도체 가공기술 노트


카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열
파일이름 :반도체 가공기술 노트.hwp
문서분량 : 4 page 등록인 : nav472224
문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 20.11.05 / 20.11.05
구매평가 : 다운로드수 : 0
판매가격 : 500

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보고서설명
반도체 관련 학과에게는 반드시 필요한 반도체 가공기술 이론!
반도체 가공기술의 핵심 요약 노트입니다.
본문일부/목차
성공적인 금속재료 특징 및 설명
1. 전도성 : 높은 전도성이 있어야 하며, 전기적 집적을 유지하는 동안 고전류밀도를 조정할 수 있어야 한다.
2. 흡착성(점착성) : 밑에 있는 기판에 부착하는 능력, 쉽게 외부 연결에 연결되는 능력이 있어야 한다. 반도체와 금속 접촉부들의 접촉 저항이 작아야 한다.
3. 증착 : 상당히 낮은 온도의 공정에서 단일 구조와 구성(합금)이 쉽게 증착되어야 한다.
4. 패터닝/평탄화 : 밑에 있는 유전체를 식각하지 않고 일반적인 알루미늄을 근거한 금속배선의 고해상도 패터닝이다.
5. 신뢰성 : 금속은 공정이 진행되는 동안 주기적인 온도 변화에 저항하기 위해서 상당히 부드럽고 전성(유연성)이 있어야 한다.
6. 부식 : 소자 아래 부분들이나 근접한 층의 작은 화학적 상호작용에 의해 발생되는 부식작용에 대한 높은 저항력이 있어야 한다.
7. 응력 : 응력으로 생기는 웨이퍼 왜곡과 재료 고장들을 감소시키는 기계적 응력에 대한 저항이 강해야한다.

구리 상감 구조
구리는 건식 식각에 적합하지 않기 때문에 일반적으로 구리 야금을 사용하지 않게 된다.
또한 구리는 실리콘으로의 확산을 최소화하기 위해서 특별한 조건이 필요하다. 구리 상호 연결 배선을 형성하기 위해서, 구리 식각을 피하기 위해 이중 다마신 과정이 사용되어 왔다.
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