해피레포트 - 반도체 실험, 논문형식(영문)

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :REPORT 4th - 복사본.docx 문서분량 : 5 page 등록인 : psawon 문서뷰어 : MS-워드뷰어프로그램 등록/수정일 : 16.06.29 / 16.06.29 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 1,400 원

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To understand the basic principle, there are some things to know first. In case of metal, the relationship between temperature and vibration of atoms (which is called ‘phonon’) has to be understood first. But in case of semiconductor, the relationship between temperature and activation energy barrier has to be understood first. This entire experiment can be divided into 4 steps. First step is to cut 6 electric wires at the both ends with wire stripper and twist it. Next, cover the both ends of 2 fixed resistances(CFR and MFR) with soldering paste and attach electric wire by rotating to fix it hard. However, in case of silicon wafer, oxide layer needs to be scratched using diamond cutter. Next, make the end of electric wire and CFR or MFR stick each other using soldering iron. But in case of silicon wafer, make the end of electric wire stick to the scratched area of silicon wafer with silver paste. Finally, attach samples(CFR, MFR, silicon wafer) on the hot plate with polyimide tape and check how resistivity of each sample changes with increasing temperature.

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