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반도체 실험, 논문형식(영문)


카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열
파일이름 :REPORT 2nd - 복사본.docx
문서분량 : 7 page 등록인 : psawon
문서뷰어 : MS-워드뷰어프로그램 등록/수정일 : 16.06.29 / 16.06.29
구매평가 : 다운로드수 : 0
판매가격 : 1,800

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보고서설명
세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다.
A+받은 자료이며 도움이 되었으면 좋겠습니다.
본문일부/목차
The overall procedure is divided into three steps. The first step is cutting aluminium foil and wrapping silicon wafer. Make aluminium foil have cross shaped hole, and the whole size should be enough to wrap silicon wafer. It is important to cut foil in proper size. During wrapping process, two things should be kept in mind. (1) Put cross shape at the front face of the silicon wafer. (2) Locate cross shape at the center of the silicon wafer. The next step is thermal evaporation. During this process, thermal evaporator is used to cover silicon wafer with vapor state of metal. 2 metals, aluminium and silver, were used as a coating material. 3 wafers were coated with silver, and the other 3 wafers were coated with aluminium.
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