해피레포트 - 재료 현대 물리 - 터널링 디바이스 및 자연현상에서의의 터널링

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :재료 현대 물리 - 터널링 디바이스.hwp 문서분량 : 3 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 15.03.17 / 15.03.17 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 2,000 원

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보고서설명
한 터널링 탐침으로 스캐닝하여 시료표면의 형태를 관찰하는 디바이스이다. 뾰족한 탐침을 시료 표면에 접근시키고 양단간에 적당한 전압을 걸어주면 비록 두 개의 도체가 떨어져 있다 하더라도 그 간격이 아주 작을 경우 전자가 에너지 벽을 뚫고 지나가는 양자역학적 터널링(tunneling) 현상이 일어나며 이때 흐르는 터널링 전류는 탐침과 시료 사이의 간격에 민감하게 반응한다. STM의 탐침은 피에조 세라믹으로 만들어진 구동기(scanner)에 의해 좌우(x), 전후(y), 상하(z)로 움직여지는데, 이 구동 장치는 0.01 nm 이상의 정밀도를 가진다. 탐침을 통해 흐르는 전류가 일정한 값이 되도록 탐침의 높이를 조정하면서 좌우, 전후로 주사해 가면 탐침이 시료 위를 저공 비행하듯이 따라가게 된다.

본문일부/목차
NOR형 플래시 메모리 NOR형플래시 메모리는 CHE주입(Channel Hot Electron Injection;채널 고에너지 전자주입)에 의해 프로그래밍되며 소거동작은 소스 전극과 부동게이트 사이의 절연 막에서 일어나는 FN(Fowler-Nordheim)터널링 방식으로실행된다. 터널 다이오드 [ tunnel diode ] 불순물 반도체에서 부성(負性) 저항 특성이 나타나는 현상을 응용한 p-n 접합 다이오드. 불순물 농도를 증가시킨 반도체로서 p-n 접합을 만들면 공핍층이 아주 얇게 되어 터널 효과가 발생하고, 갑자기 전류가 많이 흐르게 되며 순방향 바이어스 상태에서 부성 저항 특성이 나타난다. 이렇게 하면 발진과 증폭이 가능하고 동작 속도가 빨라져 마이크로파대에서 사용이 가능하다. 그러나 이 다이오드는 방향성이 없고 잡음이 나타나는 등 특성상 개선할 점이 있다. 1957년 일본의 에사키(Esaki)가 발표했기 때문에 에사키 다이오드라고도 한다. -자연현상에서 터널링으로 설명 가능한 현상 태양에서의 핵융합 태양 온도는 양성자끼리 반발하는 엄청난 에너지 장벽을 넘을 만큼 크지 않다. 이때 충분한 에너지가 없는데도 전기적인 에너지 장벽을 뚫고 나가는것은 터널링 현상으로 설명가능하다. 미시 세계에서 잘일어나는 터널 효과에 의해 2개의 양성자가 에너지 장벽을 뚫고 충돌하여 중수소원자핵을 만들고 중성미자와 양전자를 내보내는것이다. 이는 조지 가모브에의해 밝혀졌으며, 고전물리학적으로 추측한 온도보다 훨씬 낮은 400만 K이상에서도 가능하며 1000만K 이상에서도 안정적으로 일어난다고 한다.

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