해피레포트 - 화학공학 - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :화학공학 - wafer cleanin.docx 문서분량 : 8 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : MS-워드뷰어프로그램 등록/수정일 : 14.06.19 / 14.06.19 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 2,000 원

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보고서설명
Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있다. 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로 주로 문제가 되는 입자는 0.1 to 20 micron 의 지름을 갖는 입자이다. Inorganic contaminants – 염, 용액의 이온, 무거운 metal 원자. recirculation systems이나 특별한 용액에 의해 제거된다.

본문일부/목차
RCA cleaning Organic contaminants제거(Organic Clean) Thin oxide layer제거 (Oxide Strip) Ionic contamination제거(Ionic Clean) SC-1(Standard Clean-1, APM) 세정 공정 암모니아(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 그리고 물(H2O)을 1:1:5의 비율로 혼합하여 75~90℃ 정도의 온도에서 10~20분 정도 cleaning을 실시하는데 H2O2가 H2O+O2로 분리되어 강한 산화작용으로 표면 유기 물질들이 물에 잘 용해되는 복합물질을 형성하게 된다. 즉, H2O2의 산화와 NH4OH의 용해 및 식각으로 파티클을 제거한다. 파티클과 웨이퍼와의 상호 반발력에 의해 표면에서 재오염이 방지된다. DHF 세정공정 불산과 물을 1:50의 비율로 혼합하여 25°C 정도의 온도에서 산화층을 제거한다. SC-2(Standard Clean-2, HPM) 세정공정 염산, 과산화수소 그리고 물을 1:1:5의 비율로 혼합하여 75~85℃ 정도의 온도에서 잔류 금속 불순물들(heavy metals, alkali ions 그리고 metal hydroxides)을 제거한다. 세정 후 기판 표면은 15Å전후의 화학적 산화막이 형성되고 표면은 친수성 특성을 나타낸다. 세정온도를 75~85℃의 온도로 하는 이유는 이 온도구간이 적당히 높은 온도로서 세정액을 충분히 활성화함과 동시에 과산화수소의 분해가 급속히 진행되지 않는 낮은 온도이기 때문이다. 이 방법은 일반적인 금속불순물 외에도 알칼리 금속들을 제거하는 데에도 효과적이다.

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