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전자회로 설계 - MOSFET 차동 증폭기 설계


카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열
파일이름 :전자회로 설계 - MOSFET 차동.hwp
문서분량 : 9 page 등록인 : leewk2547
문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 14.06.19 / 14.06.19
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판매가격 : 2,000

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보고서설명
1. 설계 주제
2. 설계 목적
3. 설계 내용
4. 차동 증폭기란
5. 이론을 사용한 설계
(1) 설계회로
(2) 설계수식
1) 수식
2) 수식
3) 공통모드 이득계산
4) 차동모드 이득계산
5) CMRR 수식
6) MOSFET 트랜지스터 포화상태 확인

6. P-spice를 활용한 설계 시뮬레이션
(1) Trans (공통모드 / 차동모드) 해석
(2) AC sweep (공통모드 / 차동모드) 해석
(3) 이론값들과 시뮬레이션 값 오차비교
(4) 시뮬레이션을 통한 CMRR dB 측정
(5) 시뮬레이션을 통한 포화영역 확인
(6)저항 값 오차 ±10%에 따른 CMRR 크기

7. 결과 및 고찰
본문일부/목차
설계 주제
- 전자회로Ⅱ에서 배운 지식을 활용하여 직접 MOSFET를 설계 해보자.

2. 설계의 목적
- MOS 소자를 이용하여 차동증폭기를 제한조건 내에서 주어진 규격대로 설계하고
CAD Tool(Spice)을 이용하여 설계 내용을 확인한다.

- 잘 모르는 조원들과의 협동 작업을 통하여 친화성과 적응능력을 기르고 P-Spice를 활용하여 이론식으로 풀었던 것이 실제 맞는 것인지 확인하는 기회를 가지며 주어진 설계기준과 마감시간을 준수하여 회사에서 가장 중요한 납기/마감 일자를 지킬 수 있도록 미리 연습해본다.

3. 설계 내용
- 설계 규격
(1) 저항을 부하로 하는 MOS 차동증폭기 설계(기본 구조는 그림 7-48 참조)
(2) CMRR > 20dB
(3) 부하저항 5<<30
(4) 전원 =5~15V(dual power supply)
(5) 트랜지스터 특성 : , ,
(각 트랜지스터의 (W/L)비는 조절 가능)
- 위 설계규격에 맞추어 이론적으로 먼저 설계 이후 P-SPICE 시뮬레이션으로 결과 값과 그 오차 정도를 비교하여 오차 범위 내에 들어가도록 설계 한다.
연관검색어
전자회로 설계

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