해피레포트 - 접합 다이오드의 특성

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :접합 다이오드의 특성.hwp 문서분량 : 5 page 등록인 : leewk2547 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 12.06.14 / 12.06.14 구매평가 : 다운로드수 : 2 판매가격 : 1,500 원

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보고서설명
(1) 순방향 및 역방향 바이어스(bias)전압이 접합 다이오드(Junction diode)의 전류에 미치는 효과를 측정한다. (2) 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 결정하고 도시한다. (3) 접합 다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.

본문일부/목차
1) pn접합 다이오드 p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합된 것. 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 방향으로만 전류가 흐르게 된다. 이것이 바로 다이오드의 주된 특성이 된다. ▸평형상태 n-QNR의 전자 중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자만 p+-QNR쪽으로 diffusion한다. p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift한다. ▸순방향 바이어스(forward bias)(>0) 인가된 순방향전압에 의해 potential barrier는 낮아진다.(건전지의 “-” 단자는 다이오드의 n쪽에 접속 되어 전자들은 그만큼 에너지가 높아진다.) n-QNR의 전자중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자(thermal equilibrium보다 많음) 만 p+-QNR쪽으로 diffusion. p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift. p에서 n으로 전류가 흐른다. .▸역방향 바이어스(reverse bias)(<0) 인가된 역방향전압에 의해 potential barrier는 더욱 높아짐.(건전지의 “+”단자가 다이오드의 n쪽에 접 속되어 전자들은 그만큼 에너지가 낮아짐) n-QNR의 전자들은 potential barrier보다 낮은 에너지를 가지기 때문에 p+-QNR쪽으로 갈 수 없다. p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift. 2)Si 다이오드의 여러 가지 온도에 따르는 전압-전류 특성 변화. ⇒온도가 상승하면 역방향 포화전류 Is가 증가하고,순방향 전류도 증가한다. 또한 최대 전력 또는 소비 정격은 다음 식으로 표시된다. (ID, VD : 특정한 동작점에서의 다이오드의 전류 및 전압)

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