해피레포트 - [전자] [기초 전자공학 실험] 다이오드 실험 결과 레포트

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :2차 결과_다이오드.doc 문서분량 : 6 page 등록인 : sleepyday 문서뷰어 : MS-워드뷰어프로그램 등록/수정일 : 10.05.05 / 10.09.24 구매평가 : 다운로드수 : 2 판매가격 : 900 원

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1. 실험 목적 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성을 익힌다. - 다이오드의 순방향 및 역방향의 전압-전류 특성을 이해한다. - 실리콘과 게르마늄의 다이오드의 문턱 전압을 측정한다. 2. 실험 장비 계측 장비 : DMM 부품 : 저항 1KΩ(1개), 1MΩ(1개) 다이오드 Si(1개), Ge(1개) 공급기 : 직류전원 공급기 3. 이론 개요 (1) DMM 기본으로 전압, 전류, 저항을 측정할 수 있고, 그 외에 주파수, 다이오드, 온도,캐패시턴스 등 많은 부가 측정모드를 갖추고 있다. 측정 원리는 옴의 법칙을 따른다. DMM으로 다이오드의 상태를 알 수 있는데, 순방향 바이어스에 연결되면, 2mA 근처의 전류에서 다이오드에 나타나는 순방향 전압을 표기하고, 역방향 바이어스에 연결되면, 개방회로임을 보여주는 OL이 나타난다. 또한 저항을 측정함으로써 순방향과 역방향을 구분할 수 있다. (2) Si, Ge 다이오드 역방향 바이어스 영역에서 역포화 전류는 0V에서 제너전위까지 거의 일정하다. 순방향 바이어스 영역에서 전류는 다이오드 전압이 증가함에 따라 급격히 증가하는데, 1V 이하의 순방향 바이어서 전압에서 거의 수직으로 증가한다. 점화전위 또는 문턱전압은 곡선에 접하는 직선의 연장으로 수평축에서 만나는 점, VT이다.

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