해피레포트 - [방사선응용] ★ Diode I-V 특성곡선, 표준 셀의 V-T 특성측정, 표준 셀의 응답속도 측정 ★

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :방사선 리포트 반도체 전기적 측정방법.hwp 문서분량 : 5 page 등록인 : sjgforever 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 10.01.09 / 10.01.09 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 900 원

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본문일부/목차
-목차- 1. Diode I-V 특성곡선 2. 표준 셀의 V-T 특성측정, 표준 셀의 응답속도 측정 3. 실험방법 4. 참고문헌 -본문일부- Diode I-V 특성곡선 표준 셀의 V-T 특성측정, 표준 셀의 응답속도 측정 1. Diode I-V 특성곡선 다이오드의 전류-전압특성은 그 양단에 전압을 인가하였을 때 그 다이오드에 전류가 얼 마나 흐르는 가를 나타내는 그래프이다. 이론 전압을 약간씩 높여 가면서 다이오드에 흐르는 전류를 측정. 그 측정값을 전류 대 전압으로 그린것. 인가 전압이 낮을 때 다이오드에 매우 적은 전류가 흐르게 됨. 0.7V나 약간 높은 순방향전압에서 다이오드는 도통, 전류가 흐르기 시작. 0.7V 이상에서는 순방향전압이 약간 증가해도 다이오드에 흐르는 전류는 급격히 증가. 실리콘 다이오드의 전형적인 순방향 전류-전압 특성이다. 도통 순방향 바이어스전압은 일반적으로 실리콘은 약 0.7V이고 게르마늄은 약 0.3V이다.

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