해피레포트 - [전자공학] 트랜지스터 전압 전류 특성

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :트랜지스터.hwp 문서분량 : 9 page 등록인 : qudgns97 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 09.02.15 / 10.04.21 구매평가 : 다운로드수 : 2 판매가격 : 1,200 원

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보고서설명
트랜지스터 전압 전류 특성에 관한 실험 보고서 입니다.

본문일부/목차
내용요약 : 트랜지스터 전압 전류 특성 1. 실험 목적 트랜지스터의 특성을 분석하고 이미터 공통 회로 트랜지스터의 전류-전압 특성을 simulation과 실험을 통하여 이해한다. 2. 관련 이론 트랜지스터 - 트랜지스터는 비소나 붕소 등 여러 가지 불순물을 실리콘에 첨가된 반도체 - 불순물에 의해서 전류가 실리콘 내부를 이동하는 방법을 변화 - n-형 반도체에서는 전하의 운반자가 주로 자유전자가 되며, p-형 반도체에서는 양공(즉 3개의 외각전자를 가지는 붕소원자가 4개의 외각전자를 가지는 실리콘을 대체하면 빈공간, 즉 양공이 공유전자 에너지 띠에 생기게 됨) 반도체의 양공은 전자와 유사하게 움직이는데 양의 전하를 띠기 때문에 전자와는 반대방향으로 움직인다. - 트랜지스터의 종류에는 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET) - BJT는 2개의 p-n 접합으로 이루어져 있는데 전자와 양공이 전도과정에 관여한다는 점에서 쌍극성이며 입력전류에 따라서 출력전압이 쉽게 변화 - 증폭기로 널리 사용되며 발진기, 고속 집적회로, 스위칭 회로에서 핵심 부품 MOSFET - 공핍형과 매우 흡사 - 차이가 있다면 D-S 간에 있었던 n채널이 없다. - Vgs가 0V 일때는 D-S간에 채널이 없으므로 스위치 off 상태 위 그림에서 검은색은 금속(metal)을 의미 한다. 빗금친 영역은 바로 산화막을 의미한다. 그런데 이 산화막이 그림에서는 두껍게 처리 했으나 실상 그 두께는 얇다. mos의 의미는 metal oxide semiconductor로 금속과 산화물을 반도체에 붇여 놓았다 라는 의미이다. 드레인과 소스 단자는 금속을 도핑된 영역에 접촉함으로서 연결되고 게이트의 경우도 단자와 금속은 결합해 있으나 그림에서와 같이 산화막에 의하여 단자와 물질 간은 확실히 전기적으로 분리되어 있다. 게이트는 산화막 때문에 전류는 역시 거의 흐르지 않는다. 바이폴라 트랜지스터 - 바이는 Bi(2개), 폴라는 Polar(극성)을 의미 - 트랜지스터를 구성하는 반도체를 흐르는 전류가 정공 (+극성) 과 전자 (-극성)에 의해 이루어지는 것을 바이폴라 트랜지스터 - 일반적으로 트랜지스터라고 하면 실리콘으로 되어 있다. FET - Field Effect Transistor 의 약칭으로 전계 효과 트랜지스터 - 접합형 FET 와 MOS 형 FET 및 GaAs형이 있다. - 접합형 FET는 오디오 기기 등의 아날로그 회로에 사용되는 경우가 많으며, MOS 형 FET는 주로 마이크로 컴퓨터 등의 디지털 IC에 사용된다. - GaAs 형은 위성 방송 수신 등의 마이크로파 증폭에 사용됩니다. ※MOS - Metal Oxide Semiconductor의 약칭으로 구조 상 금속 (Metal), 실리콘 산화막 (Oxide), 반도체Semiconductor)순으로 이루어져 있어 MOS로 불린다. - MOS 에는 P형, N형, O형이 있으며, 소비 전류를 작게 할 수 있어 마이크로 컴퓨터 등의 집적도가 높은 IC에 사용 목차: 1. 실험 목적 2. 관련 이론 3. 시뮬레이션 결과

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