1.초고진공을 사용하기 때문에 챔버내 잔류불순물의 부착이 매우적어 고순도의 박막을 얻을 수 있다.
2. 증착속도가 대단히 느리기 때문에 단원자층 두께로 박막을 제어할 수 있다
3. 각 증착된 셀에 있는 기계공학적인 셔터나 각 셀의 온도를 제어함으로써 성장방향의 혼정조성분포, 불순물 도핑의 분포를 고정밀도로 제어 가능
4. 기판에 도달한 분자들이 충분한 표면이동을 할 수 있기 때문에 큰 면적에서 원자단위 정도의 균일하고 평탄한 막을 얻을 수 있다.
5. 결정 성장 중에 성장층의 표면 혹은 분자선에서 성장조건에 대한 여러가지 정보를 In-Situ장비로 관찰할 수 있어 성장제어에 feed-back 시킬 수 있다
6. MBE는 크기가 균일하고 우수한 광학 특성을 갖고 있어, 나노 트랜지스터나 나노 레이저, 메모리 등 나노 소자 제작에 필요한 나노 와이어의 핵심 기술이다.
7. 성장 속도는 느리지만 품질이 우수한 장점이 있다.
· 해피레포트는 다운로드 받은 파일에 문제가 있을 경우(손상된 파일/설명과 다른자료/중복자료 등) 1주일이내 환불요청 시 환불(재충전) 해드립니다.
(단, 단순 변심 및 실수로 인한 환불은 되지 않습니다.)
· 파일이 열리지 않거나 브라우저 오류로 인해 다운이 되지 않으면 고객센터로 문의바랍니다.
· 다운로드 받은 파일은 참고자료로 이용하셔야 하며,자료의 활용에 대한 모든 책임은 다운로드 받은 회원님에게 있습니다.
저작권안내
보고서 내용중의 의견 및 입장은 당사와 무관하며, 그 내용의 진위여부도 당사는 보증하지 않습니다.
보고서의 저작권 및 모든 법적 책임은 등록인에게 있으며, 무단전재 및 재배포를 금합니다.
저작권 문제 발생시 원저작권자의 입장에서 해결해드리고 있습니다. 저작권침해신고 바로가기