해피레포트 - 반도체 기초 실험 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착실험)

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :반도체기초실험리포트E-beam을이용한금.hwp 문서분량 : 3 page 등록인 : CPIA_noxknoker 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 07.05.50 / 09.12.29 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 1,700 원

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반도체 기초 실험 E beam 증착 / ()

본문일부/목차
▲ 실험 목적 ▲ 실험 원리 ▲ 실험 결과 ▲ 성장두께에 따른 저항값 ▲ 결 론 ▲ 실험 목적 E-baem evaporator를 이용하여 Si wafer 위에 금속을 증착하여 표면금속저항과 전극을 통한 Si의 저항을 측정한다. ▲ 실험 원리 high energy를 가진 전자 beam을 만들고 이를 target material에 금속을 eaporate 시킨다. eaporate 된 금속 물질이 Si wafer 표면에 달라붙게 하여 금속 박막을 증착 시킨다. ▲ 실험 결과 -표 ▲ 성장두께에 따른 저항값 -그림 ▲ 결 론 1. 성장 두께에 따라 저항값이 다르게 나타났다. ☞ 600Å > 900Å 이유는? 모든물질은 그 구성원자의 구조가 다르므로 물질에 따라 자유전자가 이동하는 틈새를 다르게 한다. 그러므로 같은 수의 전자가 투입되어도 이동할 수 있는 틈새가 다르므로 단위시간당 통과할 수 있는 전자의 숫자는 달라진다. 또 같은 물질이라도 단면적이 클수록 이동할 수 있는 틈새공간은 넓어진다. 통과해야할 길이가 긴 경우에는 시작단에서 끝단까지 통과하는데 시간이 많이 걸리게 되고, 이에 따라서 단위시간당 통과하는데 어려움이 있게된다. 저항을 나타내는 식은 다음과 같다. (물질의저항) = (물질의 종류에 따르는 상수) * (길이) / (단면적) 2. 측정위치에 따라 저항값이 달라졌다. ☞ A~B < B~C 이유는? A~B는 증착된 금속부분만을 지나가고　 B~C부분은 실리콘부분을 지나게 있다. 저항률은 도체<반도체<절연체 ( 10~6 Ωcm <　　 <1010Ωcm ) 이므로 도체인 금속만을 지나는 부분(A~B)이 반도체인 실리콘부분을 지나게 되는 부분(B~C)보다 저항률이 낮게 되는 것이다.

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