해피레포트 - 비정질반도체

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :[공대] 비.hwp 문서분량 : 12 page 등록인 : CPIA_jykim 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 07.05.50 / 09.12.29 구매평가 : 다운로드수 : 0 판매가격 : 1,700 원

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I. 온도변화에 따른 전기전도도의 변화 II. 비정질 반도체(amorphous semiconductor) III. Applications of a-Si 먼저 고체의 전도율을 살펴보면, 고체의 전기전도도는 주로 전자에 의해서 일어나지만 때로는 정공(positive hole), 또는 이온(ion) 에 의해서 일어나는 경우도 있다. 금속의 전기전도도는 자유전자(free electron) 가 전위의 차이에 대응하여 규칙적으로 배열된 금속원자의 사이를 이동함에 따라 일어난다. 이 때 전자의 밀도와 이동도(mobility) 가 전기전도율로 나타나며, 전자의 이동에 의한 저항은 전기저항(electric resistance) 으로 표현된다. 금속의 온도가 증가하면 격자를 형성하고 있는 각 원자는 그 평형위치를 중심으로 진동하게 되므로 전자의 통행을 교란하여 평균자유행로(mean free path λ) 를 작게한다. 이 때문에 금속의 전기저항은 온도가 증가함에 따라 커지고 전기전도도는 감소하게 된다. ρ를 금속의 비저항(specific resistance or resistivity : Ω.m) 이라 하면, ρ와 온도와의 관계는 다음과 같다.

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