해피레포트 - 다이오드의 반파 정류회로의 파형 측정

카테고리 : 레포트 > 공학,기술계열 파일이름 :다이오.hwp 문서분량 : 6 page 등록인 : CPIA_wltjsdl80 문서뷰어 : 한글뷰어프로그램 등록/수정일 : 07.05.50 / 09.12.29 구매평가 : 다운로드수 : 2 판매가격 : 1,000 원

미리보기

본문일부/목차
3. 실험이론 ㄱ. 도체 다이오드 a. 반도체란? 전도체의 금속과 전연체의 중간정도의 전기 전도도를 갖는 특정한 물질을 말함. 전기의 전도도가 주변의 온도, 불순물의 함유상태 등에 따라 변화될 수 있다는 것은 매우 중요한 의미를 가진다. 반도체 재료는 주기율표의 4족 및 옆에 있는 물질들이며 4족에 속하는 반도체인 실리콘(silicon)과 게르마늄(germanium)은 원소(elemental)반도체라 하며 단일 종류의 원자들로만 이루어져 있다. 초기 반도체 재료로는 게르마늄이 많이 사용되었으나 현재에는 주고 실리콘을 많이 사용하고 있으며 특히 기억소자, 전류소자 등의 I.C(integration circuit) 회로에 이용된다. 한편, 3,5 족의 GaAs나 GdP는 발광 다이오드(light-emitting)에 사용된다. b. 도핑이란? 반도체는 전자적, 광학적 성질이 불순물에 의하여 크게 영향을 받으며 이 불순물들은 정밀하게 제어된 양으로 첨가된다. 이는 불순물이 반도체의 전도도를 광범위하게 변화시키고 심지어 음(negative)전하 캐리어(carrier)에 의한 것에서 양(positive)전하 캐리어에 의한 것으로 반도체의 전도 과정의 성질을 바꾸어 놓는다. 이와 같은 불순물 첨가를 도핑(doping)이라 한다.

구매평가

구매평가 기록이 없습니다

보상규정 및 환불정책
· 해피레포트는 다운로드 받은 파일에 문제가 있을 경우(손상된 파일/설명과 다른자료/중복자료 등) 1주일이내 환불요청 시
환불(재충전) 해드립니다. (단, 단순 변심 및 실수로 인한 환불은 되지 않습니다.)
· 파일이 열리지 않거나 브라우저 오류로 인해 다운이 되지 않으면 고객센터로 문의바랍니다.
· 다운로드 받은 파일은 참고자료로 이용하셔야 하며,자료의 활용에 대한 모든 책임은 다운로드 받은 회원님에게 있습니다.

저작권안내

다이오드의 반파 정류회로의 파형 측정