MOS Capacitor의 제작 방법과 특성와 C-V등을 측정 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2012/05/17 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,500 원

1. 실험 목적 - MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다. C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다. 2. 관련 지식 관련 parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit) MOS capacitor

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[전자재료실험] MOS Capacitor [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2012/05/17 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,500 원

MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.

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[반도체] MOS 구조및 응용 텀프로젝트 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2008/10/09 | 등록자: ladyyes | 판매가격: 2,000 원

MOS 구조및 응용 텀프로젝트

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[전자기론] 트랜지스터 바이폴러형과 MOS형 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2007/05/17 | 등록자: leodica7 | 판매가격: 500 원

[전자기론] 트랜지스터 바이폴러형과 MOS형

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[전자공학] (실험보고서) MOSFET 전압 전류 특성 실험 및 시뮬레이션 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2009/02/15 | 등록자: qudgns97 | 판매가격: 1,200 원

(실험보고서) MOSFET 전압 전류 특성 실험 및 시뮬레이션을 첨부 하였습니다.

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전자공학 실험 - MOSFET 증폭회로 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2014/09/24 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

MOS 전계 효과 트랜지스터의 소신호 동작과 등가회로를 이해하고, 공통 소스 증폭기와 공통 드레인 증폭기를 구성하여 증폭현상을 관측하며, 증폭기의 중요한 특성을 측정한다. 그리고 동작점의 이동으로 인한 출력...

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반도체공학 실험 - Metal Deposition [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 금속을 Ni로 증착 두께를 10nm,...

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반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation) [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을...

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반도체공정 실험 - Photo Lithography [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번...

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반도체공정 실험 - Dry etching [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Photolithography’ 공정을 실시한 후 Si기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching’을 실시하며 FE-SEM을 이용하여 SiO2 inspection을 측정한다. 이번...

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반도체공정 실험 - Cleaning & Oxidation [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

& Oxidation 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께...

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전자회로 설계 - MOSFET 차동 증폭기 설계 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2014/06/19 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

1. 설계 주제 2. 설계 목적 3. 설계 내용 4. 차동 증폭기란 5. 이론을 사용한 설계 (1) 설계회로 (2) 설계수식 1) 수식 2) 수식 3) 공통모드 이득계산 4)...

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Fabrication process of CMOS - CMOS 제작 공정 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2013/07/15 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

채널의 MOS 트랜지스터와 n 채널의 그것을 서로 절연하여 동일 칩에 만들어 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 한 것으로, 소비 전력은 μW 정도이고 동작은 고속, 잡음 배제성이 좋다. 전원 전압의 넓은 범위에서...

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HALL[홀] IC 센서보고서 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2012/06/13 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 1,500 원

1. 실험목적 실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다. 2. 실험이론 1) Hall IC Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은...

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[전자공학] JFET 공통 드레인, 게이트 증폭기 실험 및 시뮬레이션 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2009/02/25 | 등록자: qudgns97 | 판매가격: 1,200 원

JFET 공통 드레인, 게이트 증폭기 실험 및 시뮬레이션이 첨부된 자료입니다.

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