Si wafer KOH etching-실리콘 웨이퍼 에칭 실험 계획, 결과 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2024/05/19 | 등록자: iscientist | 판매가격: 5,000 원

Si wafer KOH etching-실리콘 웨이퍼 에칭 실험 계획, 결과 주제에 대해 정성껏 조사하여 작성한 레포트로 a+ 받은 자료입니다. 많은 도움 되시길 기원 드립니다.

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반도체공정 실험 - Photo Lithography [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번...

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반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/17 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

단결정 성장 규소봉 절단 Wafer 표면 연마 회로 설계 Mask 제작 산화공정 감광액 도포 노광공정 현상공정 식각공정 이온주입공정 화학기상 증착 금속배선 Wafer 자동선별 Wafer 절단 칩 집착 금속연결 성 형

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반도체공학 실험 - Metal Deposition [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 변화를 주어 증착 두께를 조정함에 따라 제품의...

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반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation) [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을...

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반도체공정 실험 - Dry etching [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

후 Si기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching’을 실시하며 FE-SEM을 이용하여 SiO2 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을 3min, 5min, 7min으로 변화를...

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반도체공정 실험 - Cleaning & Oxidation [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다....

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반도체 공통 용어집 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2012/11/22 | 등록자: css7161 | 판매가격: 2,000 원

반도체 산업에서 많이 사용하는 용어를 모은 자료입니다. 기본적으로 반도체산업에서 근무전에 현장에서 많이 사용하는 용어를 습득하면 업무적응면에서 매우 쉬울것 입니다

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반도체 소자 제조용 재료 - 실리콘 웨이퍼 조사 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2012/08/10 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 1,600 원

실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)는 다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말합니다. 실리콘은 일반적으로 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재하며 이들은...

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LCD 스퍼터링[sputtering]에 관하여 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2012/08/10 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 1,600 원

스퍼터링(sputtering) 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견되었으며[3], 현재는 여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다. 스퍼터링(sputtering)은 높은에너지(> 30 eV)를 가진 입자들이 target에...

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HALL[홀] IC 센서보고서 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2012/06/13 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 1,500 원

IC Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.

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[신소재] XRD [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2010/01/12 | 등록자: cheonhoo | 판매가격: 1,500 원

XRD의 원리와 구성에 대한 레포트 [참고자료] -나노소재기기 수업자료 (최봉근 교수님) -William D. Callister, Jr., Materials Science and Engineering an Introduction 6/e, John Wiley & Sons, Inc., 2003...

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[반도체] Silicon wafer 실리콘 웨이퍼에 관해 (A+레포트) [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2008/10/07 | 등록자: ladyyes | 판매가격: 2,000 원

Silicon wafer 실리콘 웨이퍼에 관한 조사 a+ 맞은 레포트에요... 도움되셨으면합니다.

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[재료공학, 연구설계] 유기물 절연체를 이용한 고성능 플렉시블 박막 트랜지스터 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2008/06/20 | 등록자: 1goodday1 | 판매가격: 2,800 원

연구설계는 과목에서 졸업논문으로 쓴것 입니다. 차세대 플렉시블 디스플레이에 관한 내용입니다. 유기물 대신 얇은 Si 를 이용하고 절연체를 유기물로 하여 전기적 성능을 증가시키는데 중점을 두고 실험을...

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반도체 기초 실험 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착실험) [새창]

[공학,기술계열] 등록일: 2007/05/50 | 등록자: CPIA_noxknoker | 판매가격: 1,700 원

반도체 기초 실험 E beam 증착 / ()

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