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[전자회로실험] 증가형
MOSFET
의 단자 특성과 바이어싱 결과
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[자연과학계열]
등록일: 2014/04/21 | 등록자:
leewk2547
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2,000 원
실험 .증가형
MOSFET
의 단자 특성과 바이어싱 1.Orcad 결과 1) ID - VGS 특성 -회로- -파형-
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전자전기설계실험 -
MOSFET
(
MOSFET
Amplifier Circuit)
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[자연과학계열]
등록일: 2014/01/17 | 등록자:
leewk2547
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2,000 원
Abstract. Introduction Materials & Methods Result Discussion Conclusion
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산화공정 실험보고서
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[자연과학계열]
등록일: 2012/06/21 | 등록자:
leewk2547
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1,400 원
실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 산화막 마스킹 공정이...
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오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로
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[자연과학계열]
등록일: 2012/05/31 | 등록자:
leewk2547
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2,200 원
디지털 소자를 사용하다 보면 간혹 TTL에서 개방 콜렉터(open collector)나 CMOS에서 개방드레인(open drain)형이라는 말을 듣게 된다. 이는 도대체 무엇인가? 이를 이해하기 위해서는 먼저 앞의 [기술 노트...
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